Tubo ceramico in carburo di silicio

Come materia prima viene utilizzata polvere di carburo di silicio ultrafine con una granulometria da 0,5 a 1,0 µm, come coadiuvante di sinterizzazione viene utilizzato B4C-C, la densità del corpo verde estruso viene ottimizzata tramite sgrassaggio con solvente + processo di sinterizzazione in due fasi e la sinterizzazione viene eseguita sotto vuoto o con protezione di argon.

Come materia prima si utilizza polvere di carburo di silicio ultrafine (0,5–1,0 µm), si aggiunge B4C-C come coadiuvante di sinterizzazione e si preparano embrioni verdi mediante stampaggio a iniezione di gel. La polvere di carburo di silicio viene miscelata uniformemente con monomeri, agenti reticolanti, acqua, disperdenti, antischiuma, agenti tenacizzati, regolatori di pH, ritardanti e altri additivi per produrre la sospensione, quindi si aggiunge un catalizzatore per avviare la polimerizzazione e formare uno scheletro polimerico tridimensionale, in modo che la polvere possa essere bloccata in situ. Infine, si esegue uno sgrassaggio in due fasi (sgrassaggio con solvente + sgrassaggio termico) e la sinterizzazione senza pressione sotto vuoto/protezione di argon.

Come materia prima si utilizza polvere di carburo di silicio ultrafine, mescolata con materiale di grafite inferiore a 15%, formata mediante pressatura a secco e pressatura isostatica e sinterizzata sotto vuoto o con protezione di argon.

La polvere submicronica di carburo di silicio viene utilizzata come materia prima, mentre l'ossido viene utilizzato come agente ausiliario. Viene prodotto mediante pressatura a secco o pressatura isostatica a freddo e poi sinterizzato in fase liquida a 1800-2000 °C.

Selezionare polvere di carburo di silicio di grado estrusione di diverse granulometrie come materia prima, aggiungere carbone, legante, emulsionante e altri additivi, mescolare, impastare, estrudere e quindi reagire e sinterizzare. È adatto per la produzione di fili, tubi, piastre, ecc. con sezione trasversale uniforme e lunghezze elevate.

Come materia prima viene selezionata polvere di carburo di silicio di diverse granulometrie, vengono introdotte fonti di carbonio organico e inorganico e viene eseguita una macinazione a sfere dispersa con acqua deionizzata, disperdente, legante, ecc. La sospensione di carburo di silicio preparata viene iniettata nello stampo in gesso progettato e siliconata in atmosfera sotto vuoto a 1600-1700 °C. Il contenuto di silicio libero del prodotto è inferiore a 15%.

Come materia prima si utilizzano polveri di carburo di silicio di diverse granulometrie, si aggiungono diverse fonti di carbone attivo come seconda fase e, successivamente, si aggiungono disperdenti, leganti, additivi di pressione, ecc. per ottenere una sospensione ad alto contenuto di fase solida, che viene stampata e sinterizzata mediante siliconizzazione ad alta temperatura in atmosfera sotto vuoto. Il contenuto di silicio libero è 15-20%.

Come materie prime si utilizzano polveri di carburo di silicio di diverse granulometrie, che vengono aggiunte direttamente al liquido premiscelato composto da monomeri, agenti reticolanti, acqua, disperdenti, antischiuma, agenti tenacizzati, regolatori di pH, ritardanti e altri additivi con fonti di carbonio, e catalizzate da catalizzatori e iniziatori. Il monomero reticolante si solidifica formando una struttura reticolare tridimensionale e vincolando la polvere ceramica nella rete di gel. Il materiale ottenuto con questo processo presenta un'elevatissima resistenza alla flessione e alla frattura.

Come materia prima si utilizza polvere di carburo di silicio con diverse granulometrie, ottenuta mediante un processo di iniezione del legante. La polvere viene sinterizzata ad alta temperatura sotto vuoto o sotto protezione di argon. Il contenuto di silicio libero è solitamente 10–30%.

Come materie prime vengono utilizzate polveri di carburo di silicio di diverse dimensioni delle particelle (50–100 µm), modificate e formate mediante un processo di iniezione del legante, uno speciale processo di rinforzo, una sinterizzazione di reazione sotto vuoto o protezione con argon, e il contenuto di silicio libero è inferiore a 15%.