Ceramica semiconduttrice
Dalla lavorazione dei wafer, all'adsorbimento sotto vuoto, all'assemblaggio di precisione fino ai processi ad alta temperatura, GORGEOUS fornisce ai clienti soluzioni personalizzate in ceramica semiconduttrice.
Parti strutturali in ceramica di precisione
Industria pan-semiconduttori
Descrizione della ceramica semiconduttrice
Le ceramiche avanzate sono una parte essenziale delle apparecchiature per la produzione di semiconduttori. Durante il processo di produzione dei semiconduttori viene generata una grande quantità di plasma ed è fondamentale utilizzare materiali resistenti al plasma come componenti delle apparecchiature. Rispetto a metalli, resine e vetro, le ceramiche avanzate offrono prestazioni più elevate e affidabilità. La loro resistività è solitamente compresa tra quella dei conduttori e quella degli isolanti e il loro eccellente isolamento elettrico le rende particolarmente adatte ai processi di produzione dei semiconduttori.
Vi forniamo tutti i materiali ceramici di cui avete bisogno:
✅Allumina (Al2O3) — Elevatissima purezza e rigidità;
✅Nitruro di alluminio (AlN) — Eccellente conduttività termica e isolamento;
✅Nitruro di silicio (Si3N4) — Elevatissima tenacità alla frattura e basso coefficiente di dilatazione termica;
✅Carburo di silicio (SiSiC)— Bassa densità e coefficiente di dilatazione termica.
In base alle tue esigenze, possiamo consigliarti il materiale più adatto per creare componenti ceramici semiconduttori ad altissima precisione!
Garanzia di produzione e tempi di spedizione
GORGEOUS collabora con numerose aziende leader di logistica internazionale per produrre per voi in tempi rapidi e consegnarvi i prodotti integri e nei tempi previsti!
La produzione e il trasporto della ceramica sono influenzati dal processo e dalla vostra posizione. Produrremo rapidamente per voi secondo i vostri piani e sceglieremo il metodo di trasporto più adatto. La consegna aerea più veloce del Nord America, arriva in 7 giorni.
Le aziende di logistica con cui collaboriamo includono:
- MSC (Compagnia di Navigazione Mediterranea)
- Maersk
- CMA CGM
- COSCO
- Hapag-Lloyd
- DHL
- UPS
- FedEx
- Tritolo
Collaboriamo con numerosi spedizionieri per garantirti opzioni di spedizione efficienti a prezzi più bassi, consegna puntuale, E nessuna commissione nascosta!
Produzione
Imballaggio
Caricamento
Trasporti
Proprietà principali della ceramica semiconduttrice
Elevata durezza
Resistente all'usura
Resistente alla corrosione
Resistenza alle alte temperature
Forte isolamento
Riferimento di precisione del prodotto personalizzabile GORGEOUS
| Tecnologia di elaborazione | parametro | Precisione raggiungibile |
| Fresatura | Planarità, parallelismo, Ra | Ra≥0,05 μm” Planarità <1μm |
| macinazione | Planarità | 5 μm < Ø 200 mm / 10 μm > Ø 200 mm |
| Rugosità | Ra da 0,15 μm a 0,6 μm | |
| Parallelismo | 5 μm < Ø 200 mm / 10 μm > Ø 200 mm | |
| Erosione | Simmetrico | Max. 0,05 mm (foro/fessura di posizionamento) |
| Lucidatura | Planarità, Parallelismo, Rugosità | Ra0,06μm-0,35μm Planarità <2μm Parallelismo <2μm |
| Strutturazione | Rugosità | Rugosità < 3,2 μm Dimensioni < 150 μm |
*La precisione specifica deve essere determinata in base ai requisiti effettivi del materiale del prodotto, della forma e del processo.
Processo opzionale ceramico semiconduttore
| Tipo di prodotto | Richieste speciali |
| Substrato ceramico | Lucidatura, metallizzazione, placcatura in oro |
| Braccio in ceramica | Lucidatura a specchio, fessure di ventilazione, rivestimento antistatico |
| Anelli/Guarnizioni in ceramica | Sabbiatura, rivestimento in teflon, rivestimento superficiale |
| Tubo in ceramica | Lucidatura delle pareti interne, pressatura isostatica a caldo, rivestimento superficiale |
| Ventosa in ceramica | Lavorazione di microfori, lavorazione di fori ciechi, progettazione di sfiati di adsorbimento |
| Elemento riscaldante in ceramica | Rivestimento metallizzato, smalto superficiale, rivestimento antistatico |
Parametri e selezione di materiali ceramici semiconduttori personalizzati
| Articolo | Unità | Nitruro di silicio |
| Densità | g/cm3 | ＞3.2 |
| Durezza | – | HRA90 |
| Durezza Vickers (Hv50) | HV0.5 | >1550 |
| Modulo di elasticità | Media dei voti | 290 |
| Resistenza alla flessione | MPa | >600 |
| Resistenza alla compressione | MPa | 2500 |
| Tenacità alla frattura | MPam1/2 | ＞6.0 |
| Temperatura massima di utilizzo | °C | 1200 |
| Conduttività termica | W /（M·K） | 15-20 |
| Coefficiente di dilatazione termica | 10-6 /℃ | ＞3.1 |
| Resistenza agli shock termici | △T℃ | 500 |
| Capacità termica specifica | KJ/kg·K | 700 |
| Rigidità dielettrica | KV/mm | 1 |
| Costante dielettrica | E | – |
| Resistività di volume a 20℃ | Ω.cm | 1.0×1012 |
| Articolo | Unità | Carburo di silicio sinterizzato senza pressione | Carburo di silicio legato per reazione | Carburo di silicio sinterizzato ricristallizzato |
| Temperatura massima di esercizio | °C | 1600 | 1380 | 1650 |
| Densità | g/cm3 | ＞3.1 | ＞3.02 | ＞2.6 |
| Porosità | % | <0,1 | <0,1 | 15% |
| Resistenza alla flessione | MPa | >400 | 250 (20°C) | 90-100 (20°C) |
| MPa | – | 280 (1200 °C) | 100-120 (1100 °C) | |
| Modulo elastico | Media dei voti | 420 | 330 (20°C) | 240 |
| Media dei voti | – | 300 (1200 °C) | – | |
| Conduttività termica | W/mk | 74 | 45 (1200°C) | 24 |
| Coefficiente di dilatazione termica | K-1×10-6 | 4.1 | 4.5 | 4.8 |
| Durezza Vickers | Media dei voti | 22 | 20 | – |
| Resistenza agli acidi e agli alcali | – | eccellente | eccellente | eccellente |
| Proprietà | Unità | AL2O3 99.7 | AL2O3 99.5 | AL2O3 99 | AL2O3 95 |
| Purezza | — | 99.7% | 99.5% | 99% | 95% |
| Densità | g/cm3 | 3.92 | 3.9 | 3.8 | 3.7 |
| Resistenza alla flessione | MPa | 375 | 370 | 340 | 304 |
| Resistenza alla compressione | MPa | 2450 | 2300 | 2250 | 1910 |
| Modulo elastico | Media dei voti | 380 | 370 | 330 | 330 |
| Tenacità alla frattura | MPam1/2 | 4.5 | 4.3 | 4.2 | 3.8 |
| Durezza | HRA | 91 | 91 | 90 | 89 |
| Durezza Vickers | HV1 | 1600 | 1550 | 1450 | 1400 |
| Coefficiente di dilatazione termica | 10- 6 K-1 | 7.8 | 7.8 | 7.7 | 7.5 |
| Conduttività termica | W/mk | 32 | 32 | 25 | 25 |
| Stabilità agli shock termici | △T.℃ | 220 | 220 | 200 | 200 |
| Temperatura massima di esercizio | °C | 1750 | 1750 | 1700 | 1500 |
| Resistenza di volume a 20℃ | Ω·cm | 1015 | 1015 | 1014 | 1014 |
| Rigidità dielettrica | KV/mm | 22 | 20 | 16 | 15 |
| Costante dielettrica (temperatura ambiente) | / | 10 | 11 | 11.5 | 11 |
| Fattore di perdita dielettrica MHz | tan δ | 1×10-3 | 1×10-3 | 3×10-3 | 3×10-3 |
| Articolo | Unità | Nitruro di alluminio |
| Densità | g/cm3 | 3.31 |
| Modulo di elasticità | Media dei voti | 310 |
| Tenacità alla frattura | MPa × m1/2 | 3.5 |
| rapporto di Poisson | – | 0.25 |
| Compressivo | MPa | 2100 |
| Resistenza alla flessione | MPa | 335 |
| Durezza (Vickers) | Media dei voti | 11 |
| Durezza (Knoop 100g) | Kg/mm2 | 1170 |
Riferimento tipo estremità albero in ceramica personalizzabile
Prodotti in materiale di allumina
❇️Piastre per lucidatura wafer:L'elevata durezza e la resistenza all'usura garantiscono un'elevata precisione e una lunga durata della lucidatura dei wafer.
❇️Dispositivi terminali / manipolazione wafer:Eccellente resistenza meccanica e stabilità chimica, adatti alla manipolazione di wafer in ambienti ad elevata pulizia.
❇️Prodotti metallizzati:Buona conduttività elettrica e resistenza alle alte temperature, adatto per dispositivi elettronici ad alta potenza.
❇️Anelli della camera / Bersagli di sputtering:L'elevata purezza e la resistenza alla corrosione garantiscono la stabilità e la coerenza del processo di deposizione di film sottili.
Prodotti in materiale di carburo di silicio
❇️Piastre per lucidatura wafer:Durezza e conduttività termica estremamente elevate, adatte per la lucidatura efficiente e ad alta precisione dei wafer.
❇️Mandrini elettrostatici:L'eccellente conduttività termica e l'isolamento elettrico garantiscono un assorbimento stabile dei wafer ad alte temperature.
❇️Mandrini a vuoto:Elevata resistenza e resistenza al calore, adatto per il fissaggio di wafer in ambienti ad alto vuoto.
❇️Dispositivi terminali / manipolazione wafer:Leggero e altamente rigido, adatto alla manipolazione di wafer ad alta velocità e alta precisione.
❇️Anelli della camera:Eccellente resistenza alle alte temperature e alla corrosione, adatto agli ambienti di processo dei semiconduttori difficili.
Quali sono gli utilizzi della ceramica semiconduttrice?
Braccio robotico in ceramica/Processore terminale in ceramica
Il braccio ceramico svolge la funzione di trasporto e movimentazione nelle apparecchiature a semiconduttore, equivalente al braccio del robot di tali apparecchiature. È principalmente responsabile del trasporto di wafer e chip di silicio verso le posizioni designate.
Riscaldatore ceramico a semiconduttore
I riscaldatori a semiconduttore presentano un'eccellente conduttività termica, resistenza alle alte temperature e isolamento elettrico. Possono riscaldarsi rapidamente e in modo uniforme e sono ampiamente utilizzati nella produzione di semiconduttori, nelle apparecchiature optoelettroniche e in altri ambiti.
Mandrino in ceramica per wafer sottovuoto
Il mandrino per wafer a vuoto è un dispositivo fondamentale per la lavorazione di precisione e la produzione di semiconduttori, progettato per il fissaggio e la movimentazione di wafer di silicio o altri materiali sottili. Utilizza il principio dell'adsorbimento sotto vuoto per garantire la stabilità del wafer e la sua assenza durante la lavorazione, il collaudo o la pulizia.
Parti di apparecchiature a semiconduttore
Molti dispositivi semiconduttori utilizzano prodotti ceramici avanzati, come dischi isolanti in ceramica, anelli isolanti in ceramica, termistori, ceramiche sensibili ai gas, ceramiche fotosensibili, ecc.
Servizio di produzione di semiconduttori ceramici a sportello unico
15+ Anni di esperienza. Alta precisione e progettazione OEM. Team di ricerca e sviluppo professionale. Prezzo competitivo.
I nostri successi Pass Testimonianze
Qual è la durata di vita dei vostri prodotti?
I nostri prodotti ceramici semiconduttori hanno un'eccellente durata e possono funzionare stabilmente per lungo tempo in ambienti ad alta temperatura, alta pressione e corrosivi, riducendo i costi di sostituzione.
Come scegliere i materiali?
A seconda dei diversi scenari applicativi, ti consigliamo di scegliere il materiale giusto:
- Nitruro di alluminio (AlN): ha un'eccellente conduttività termica (>170 W/m·K) e un ottimo isolamento elettrico, ed è adatto per dispositivi semiconduttori ad alta potenza.
- Ossido di alluminio (Al₂O₃): ha una buona resistenza meccanica e alla corrosione ed è ampiamente utilizzato nei componenti elettronici convenzionali.
- Nitruro di silicio (Si₃N₄): è stabile alle alte temperature e resistente agli urti, ed è particolarmente adatto per componenti chiave in ambienti difficili.
Le tue capacità di personalizzazione
Supportiamo la personalizzazione di diverse specifiche e strutture complesse. Che si tratti di lavorazioni di precisione micrometrica o della produzione di componenti di forma speciale, siamo in grado di soddisfare le vostre esigenze.
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