Internationaal toonaangevende leverancier van siliciumcarbide-keramische oplossingen

15+ jaren van SSIC En SISI productverkoop- en productie-ervaring, het op maat maken van siliciumcarbide keramische structurele onderdelen in verschillende vakgebieden voor u

Ontvang direct een offerte
Op maat gemaakte verwerkingsoplossingen voor keramische onderdelen van siliciumcarbide

Aangepaste siliciumcarbide keramische plaat

Aangepaste siliciumcarbide keramische schijf, speciaal voor halfgeleiders

Maatwerkbewerking van kogelwerende platen van siliciumcarbide met hoge sterkte

Op maat gemaakte siliciumcarbideverwarmer/hoge temperatuur gemiddelde verwarming

Verwerking en aanpassing van siliciumcarbide koudeluchtkanalen/siliciumcarbide keramische buizen

Op maat gemaakte siliciumcarbide keramische kroes voor de hogetemperatuur- en chemische industrie

Aangepaste siliciumcarbide vlammondstuk

Aangepaste verwerking van speciale, hoogtemperatuur hangende brandstaven van siliciumcarbide

Aangepaste siliciumcarbide keramische blokken/keramische onderdelen

Op maat gemaakte verwerkingsoplossingen voor keramische onderdelen van siliciumcarbide
Aangepaste siliciumcarbide keramische plaat
Aangepaste siliciumcarbide keramische schijf, speciaal voor halfgeleiders
Maatwerkbewerking van kogelwerende platen van siliciumcarbide met hoge sterkte
Op maat gemaakte siliciumcarbideverwarmer/hoge temperatuur gemiddelde verwarming
Verwerking en aanpassing van siliciumcarbide koudeluchtkanalen/siliciumcarbide keramische buizen
Op maat gemaakte siliciumcarbide keramische kroes voor de hogetemperatuur- en chemische industrie
Aangepaste siliciumcarbide vlammondstuk
Aangepaste verwerking van speciale, hoogtemperatuur hangende brandstaven van siliciumcarbide
Aangepaste siliciumcarbide keramische blokken/keramische onderdelen

Siliciumcarbidekeramiek/SIC-keramiek 

Personaliseer uw keramiek

\
GORGEOUS levert hoogwaardige keramische siliciumcarbideoplossingen. Optionele materialen zijn onder andere: drukloos gesinterd siliciumcarbide, reactiegesinterd siliciumcarbide, 3D-geprint siliciumcarbide, enz.
\
Wij houden ons intensief bezig met geavanceerde vormgevingsprocessen zoals isostatisch persen, extrusie, injectie, gel-injectiegieten en 3D-printen, maar ook met sinterprocessen zoals drukloos, reactief, herkristallisatie, gasdruk, plasma, etc. om geavanceerde productietoepassingen van structurele keramiek te onderzoeken.
\
Met 15 jaar ervaring in R&D en industrialisatie van structurele keramiek, worden siliciumcarbideproducten geleverd in meer dan 20 landen over de hele wereld. 80% van de bestellingen komt van geavanceerde productiebedrijven in verschillende landen en wordt geëxporteerd naar de Verenigde Staten, Rusland, Japan, Zuid-Korea, Italië, Australië, Brazilië, India, Israël en vele andere landen.

Siliciumcarbidekeramiek: hoogwaardige materiaaloplossingen op maat voor uw vakgebied

Bij HEERLIJKWij ontwikkelen hoogwaardige siliciumcarbide (SiC) keramiek voor industrieën waar standaardmaterialen tekortschieten. Of u nu extreme hittebestendigheid, slijtvastheid of chemische stabiliteit nodig hebt, onze siliciumcarbide oplossingen op maat zijn ontworpen om betrouwbaar te presteren in de meest veeleisende omgevingen.

⬜️ Thermische en hogetemperatuurtoepassingen
       ➡️ Smeltkroezen, ovenmeubilair, thermokoppelbeschermingsbuizen

⬜️ Mechanische en slijtvastheid
       ➡️ Afdichtingen, slijtvaste onderdelen, keramische arm

⬜️ Precisie vloeistof- en gasregeling
       ➡️ Vlamsproeiers, koudeluchtkanalen

⬜️ Geavanceerde technologiesectoren
       ➡️ Halfgeleidercomponenten, kogelwerende bepantsering

Vertel ons uw vereisten, dan leveren wij een op maat gemaakte oplossing van SiC-componenten voor uw toepassing.Neem contact met ons op] voor een gratis technisch consult.

R&D om uw siliciumcarbide keramische toepassing aan te passen

◽️Materiaalonderzoek

HEERLIJK Voert diepgaand onderzoek uit naar hightechmaterialen op basis van de marktvraag en uw specifieke eisen voor productprestaties. We houden daarbij rekening met belangrijke factoren zoals materiaalzuiverheid, mechanische eigenschappen, elektrische eigenschappen, thermische eigenschappen, hoge temperatuurbestendigheid, corrosiebestendigheid en slagvastheid. We selecteren het beste materiaalsysteem en additievensysteem. We gebruiken formuleringsontwerpmethoden zoals Taguchi-ontwerp, DOE single-factor of multi-factor multi-level analyse om de materiaalverhouding te optimaliseren. We bereiden monsters voor in combinatie met bijbehorende giet- en sinterprocessen en voeren polijst-, corrosie- en andere behandelingen uit. Tot slot voeren we een uitgebreide evaluatie uit op basis van de procesparameters, organisatiestructuur en prestaties van de materiaalformule om ervoor te zorgen dat uw producten voldoen aan de verwachte eisen en de beste resultaten opleveren. siliciumcarbide keramiek aan jou.

 

◽️Technisch ontwerp

Nadat we uw vereisten hebben ontvangen, HEERLIJK Wij begeleiden u bij het verbinden van het product en het technisch ontwerp met onze professionele technisch ontwerpers en product engineers. Na diepgaande gesprekken voeren we een volledig technisch productontwerp uit op basis van uw behoeften en toepassingsscenario's en de technische kenmerken van het bedrijf.

 

◽️Procesoptimalisatie

Productkwaliteit, opbrengst, levertijd en klanttevredenheid staan bij ons altijd voorop. Onze procesingenieurs en senior managers stellen altijd de behoeften op het gebied van technologie en procesoptimalisatie en iteratie voorop en dragen deze over aan de R&D-afdeling om procesoptimalisatieprojecten te initiëren, de bijbehorende processen te optimaliseren en u altijd producten van betere kwaliteit te leveren.

 

◽️Vormontwerp

PRACHTIG's Het ontwerpteam heeft ervaring en is vertrouwd met de giet-, sinter- en verwerkingseigenschappen van verschillende materiaalsystemen en producten. Ze kunnen nauwkeurig geschikte matrijsmaterialen selecteren en gebruiken. CAD, SolidWorks, UG en andere ontwerpsoftware om bijpassende mallen te ontwerpen. U kunt kiezen uit verschillende soorten mallen, zoals verwerkingsmallen, 3D-printmallen, gietvormen, verloren schuim of lichtgewicht mallen Afhankelijk van uw behoeften ter ondersteuning van de productie. Tegelijkertijd kunnen we productoplossingen bieden die geschikt zijn voor grote, dikwandige, extra lange, extra dikke of complexe binnenspouwconstructies.

 

Bewerking van siliciumcarbidekeramiek Siliciumcarbidepoeder3D-printen met siliciumcarbideBewerking van siliciumcarbidekeramiek 3D-printen van siliciumcarbidekeramiek

Siliciumcarbide vacuüm sinterovenBewerking van siliciumcarbidekeramiek Buissnijden van siliciumcarbidekeramiekBewerking van siliciumcarbidekeramiek Lasermarkering van siliciumcarbidekeramiek

Hardheidstest van siliciumcarbideHardheidstest van siliciumcarbideSiliciumcarbide testen

Kenmerken van prachtige siliciumcarbide keramische producten

Hoge zuiverheid

Chemische stabiliteit

Hoge temperatuurbestendigheid

Antioxidant

GORGEOUS kan u siliciumcarbidematerialen leveren

⬜️Drukloos gesinterd siliciumcarbide

  • De deeltjesgrootte kan bereiken 0,5-1,0 μm.
  • Ultrahoge hardheid, uitstekende slijtvastheid, Vickers-hardheid overtreft 2000 GPa.
  • Uitstekende buigsterkte, driepuntsbuigsterkte groter dan 350MPa.
  • Hoge temperatuurbestendigheid tot 1500℃.
  • Hoge thermische geleidbaarheid en lage thermische uitzettingscoëfficiënt (thermische geleidbaarheid bij kamertemperatuur)>120W/m·Kkamertemperatuur CTE<2,5 ppm/℃).
  • Uitgebreide chemische corrosiebestendigheid.
  • Wij kunnen keramische onderdelen van groot formaat en met uiteenlopende complexe structuren voor u op maat maken.

⬜️Reactie-gesinterd siliciumcarbide

  • Uitstekende buigsterkte (>280 MPa, 3 keer die van kwartsmateriaal)
  • Maximale bedrijfstemperatuur kan bereiken 1350℃
  • Chemisch stabiel, bestand tegen zuur- en alkalicorrosie, lage etssnelheid bij zuur- en alkalische wassing
  • Lage thermische uitzettingscoëfficiënt, vergelijkbaar met die van materialen zoals siliciumnitride
  • Uitstekende slijtvastheid en hardheid (>2500GPa)
  • Uitstekende thermische geleidbaarheid (thermische geleidbaarheid bij kamertemperatuur)>160W/m·K)

⬜️3D-printen van siliciumcarbide

  • De deeltjesgrootte is meestal 50-100 μm
  • Uitstekende slijtvastheid (Vickers-hardheid) > 20 GPa)
  • Hoge temperatuurbestendigheid, kan weerstaan 1300℃
  • Hoge thermische geleidbaarheid, lage thermische uitzettingscoëfficiënt (thermische geleidbaarheid bij kamertemperatuur) > 100W/m·Kkamertemperatuur CTE < 4*10-6   /K)
  • Zuiverheid kan oplopen tot 99.98%
  • Kan grote en diverse complexe constructiedelen voor u vervaardigen
Drukloos gesinterd siliciumcarbide - reactief gesinterd siliciumcarbide - 3D-geprint siliciumcarbidepoeder microfoto

PRACHTIGE siliciumcarbide keramische serie producten

Op maat gemaakte siliciumcarbide keramische kroes - hoge zuiverheid laboratorium/gieterijkwaliteit
Op maat gemaakte SiC-keramische smeltkroesoplossingen - Corrosiebestendig ontwerp
Op maat ontworpen siliciumcarbide keramische smeltkroes - bestand tegen thermische schokken
Op maat gemaakte hangende branderstaaf van siliciumcarbidekeramiek
Op maat gemaakte SiC keramische verwarmingsstaaf voor oventoepassingen
Op maat gemaakte hangende brandstaaf van siliciumcarbidekeramiek
Op maat gemaakte siliciumcarbide keramische steunbalk
Precisie-gefabriceerde SiC-keramiek vierkante balk - hoge belastbaarheid
Aangepaste vierkante balk van siliciumcarbide
Speciaal ontworpen siliciumcarbide keramische ballistische bescherming
Toepassingsspecifieke SiC-keramische pantserplaatoplossingen
Engineering siliciumcarbide keramische kogelwerende plaat
Aangepast siliciumcarbidekeramiek verwarmingssysteem - Hoge temperatuurtoepassingen
Op maat gemaakt SiC-keramisch verwarmingscomponent - OEM-ontwerpen beschikbaar
Op maat gemaakte siliciumcarbide keramische verwarmingstechnologie
Ventilatiekanaal van siliciumcarbidekeramiek op maat - hoge thermische geleidbaarheid
Precisiegefabriceerd SiC-keramiek luchtoverdrachtsysteem
Toepassingsgeoptimaliseerd siliciumcarbide keramisch kanaalcomponent
Aangepaste siliciumcarbidebrandermond voor toepassingen met hoge temperaturen
Precisiegefabriceerde siliciumcarbidebrandersproeier voor industrieel gebruik
Aangepaste siliciumcarbide thermokoppel beschermbuis voor hogetemperatuursensoren
Temperatuurbeschermingsbuis van siliciumcarbide voor industriële toepassingen
Precisie siliciumcarbide thermokoppelhuls met superieure duurzaamheid
Aangepast siliciumcarbide keramisch substraat voor elektronica en halfgeleiders
Op maat gemaakt siliciumcarbidesubstraat voor hoge thermische geleidbaarheid
Aangepast siliciumcarbide keramisch isolatiesubstraat
Aangepaste siliciumcarbide waferdrager voor de halfgeleiderindustrie
Op maat gemaakte SiC keramische susceptor voor hogetemperatuurverwerking
Precisie siliciumcarbide waferhouder voor dunnefilmdepositie
Aangepaste siliciumcarbide keramische robotarm voor nauwkeurige automatisering
Op maat gemaakte siliciumcarbidemanipulator voor hogetemperatuurbewerkingen
Op maat gemaakte siliciumcarbidemanipulator voor hogetemperatuurbewerkingen

Aangepaste armmateriaalparameters en selectie

Hoogwaardige siliciumcarbidekeramiek

Drukloos gesinterd siliciumcarbide

Als grondstof wordt ultrafijn siliciumcarbidepoeder met een deeltjesgrootte van 0,5 tot 1,0 µm gebruikt, B4C-C wordt gebruikt als sinterhulpmiddel, de dichtheid van het geëxtrudeerde groene lichaam wordt geoptimaliseerd door middel van ontvetting met oplosmiddel + tweestaps sinterproces en het sinteren wordt uitgevoerd onder vacuüm of argonbescherming.

Prestatie-indicatoren Voorwaarde eenheid Numeriek
Siliciumcarbidegehalte - % ≥98,3
Gemiddelde korrelgrootte - μm 4-10
Dikte - kg/dm³ 3.00-3.10
Schijnbare porositeit - Vol% ≤0,5
Vickers-hardheid - kg/mm2 2100-2300
Drie-punts buigsterkte 20℃ MPa 380-450
Drie-punts buigsterkte 1300°C MPa 500-580
Druksterkte 20°C MPa 3800-4200
Elastische modulus - GPa 410-440
Breuktaaiheid 20°C MPa/m1/2 4.5-5.5
Thermische geleidbaarheid 20°C W/(m*K) 140-170
Thermische geleidbaarheid 1300℃ W/(m*K) 30-45
Volumeweerstand - Ω·cm 106 -108
Coëfficiënt van thermische uitzetting (kamertemperatuur*-1300°C) ×10-6 /K 4.5-5.2
Maximale bedrijfstemperatuur Oxiderende atmosfeer ℃ 1700
Corrosiebestendigheid 50%NaOH,100°C,15d Mg/(cm2 ·j) 0.5-1.0
Corrosiebestendigheid 10%HF:65%HNO3=1:1,25°C,30d Mg/(cm2 ·j) 0.001-0.005
Corrosiebestendigheid 10%HF:65%HNO3=1:1,100°C,30d Mg/(cm2 ·j) 0.8-1.2

Ultrafijn siliciumcarbidepoeder (0,5–1,0 µm) wordt gebruikt als grondstof, B4C-C wordt toegevoegd als sinterhulpmiddel en groene embryo's worden bereid door middel van gelspuitgieten. Siliciumcarbidepoeder wordt gelijkmatig gemengd met monomeren, vernettingsmiddelen, water, dispergeermiddelen, antischuimmiddelen, verharders, pH-regelaars, vertragers en andere additieven om een slurry te maken. Vervolgens wordt een katalysator toegevoegd om de polymerisatie te initiëren en een driedimensionaal polymeerskelet te vormen, zodat het poeder ter plaatse kan worden vastgehouden. Tot slot vindt een tweestapsontvetting (ontvetting met oplosmiddel + thermische ontvetting) plaats en wordt er drukloos gesinterd onder vacuüm/argonbescherming.

Prestatie-indicatoren Voorwaarde eenheid Numeriek siliciumcarbidegehalte
Siliciumcarbidegehalte - % ≥98,0
Gemiddelde korrelgrootte - μm 3-8
Dikte - kg/dm³ 3.03-3.10
Schijnbare porositeit - Vol% ≤0,8
Vickers-hardheid - kg/mm2 2100-2300
Drie-punts buigsterkte 20℃ MPa 350-420
Drie-punts buigsterkte 1300°C MPa 480-550
Druksterkte 20℃ MPa 3700-4100
Elastische modulus - GPa 380-420
Breuktaaiheid 20℃ MPa/m1/2 4.7-5.3
Thermische geleidbaarheid 20℃ W/(m*K) 150-170
Thermische geleidbaarheid 1300℃ W/(m*K) 30-45
Volumeweerstand - Ω·cm 106 -108
Coëfficiënt van thermische uitzetting (kamertemperatuur*-1300°C) ×10-6 /K 4.7-5.1
Maximale bedrijfstemperatuur Oxiderende atmosfeer ℃ 1750

Als grondstof wordt ultrafijn siliciumcarbidepoeder gebruikt, gemengd met minder dan 15% grafietmateriaal, gevormd door droogpersen en isostatisch persen en gesinterd onder vacuüm of onder argonbescherming.

Prestatie-indicatoren Voorwaarde eenheid Numeriek
Siliciumcarbidegehalte - % 80-90
Gemiddelde korrelgrootte - μm 2.4-2.8
Dikte - kg/dm³ 10000-1400
Schijnbare porositeit - Vol% 8-15
Vickers-hardheid - kg/mm2 10000-1400
Drie-punts buigsterkte 20°C MPa 250-350
Drie-punts buigsterkte 1300°C MPa 300-400
Druksterkte 20℃ MPa 2000-2500
Elastische modulus - GPa 280-320
Breuktaaiheid 20°C MPa/m1/2 3.0-4.0
Thermische geleidbaarheid 20°C W/(m*K) 100-150
Thermische geleidbaarheid 1300°C W/(m*K) 50-80
Volumeweerstand - Ω·cm 5-200
Coëfficiënt van thermische uitzetting (kamertemperatuur*-1300°C) ×10-6 /K 4.0-5.0
Maximale bedrijfstemperatuur Oxiderende atmosfeer ℃ 1100-1300

Siliciumcarbide submicronpoeder wordt gebruikt als grondstof en oxide als hulpstof. Het wordt gevormd door droogpersen of koud isostatisch persen en vervolgens in vloeibare fase gesinterd bij 1800-2000 °C.

Prestatie-indicatoren Voorwaarde eenheid Numeriek
Siliciumcarbidegehalte - % 92
Gemiddelde korrelgrootte - μm 4-10
Dikte - kg/dm³ 3.20-3.22
Schijnbare porositeit - Vol% ＜0,8
Vickers-hardheid - kg/mm2 2200
Drie-punts buigsterkte 20°C MPa 550
Druksterkte 20°C MPa 3900
Elastische modulus - GPa 400
Breuktaaiheid 20°C MPa/m1/2 5
Thermische geleidbaarheid 20°C W/(m*K) 20-30
Volumeweerstand - Ω·cm (1-3)*108
Coëfficiënt van thermische uitzetting (kamertemperatuur*-1300°C) ×10-6 /K 3.73-5.45
Maximale bedrijfstemperatuur Oxiderende atmosfeer ℃ 1700

Reactie-gesinterd siliciumcarbide

Selecteer siliciumcarbidepoeder van extrusiekwaliteit met verschillende deeltjesgroottes als grondstof, voeg koolstofbron, bindmiddel, emulgator en andere additieven toe, meng, kneed, extrudeer en reageer en sinter. Het is geschikt voor de productie van draden, buizen, platen, enz. met een uniforme doorsnede en lange afmetingen.

Prestatie-indicatoren Voorwaarde eenheid Numeriek
Siliciumcarbidegehalte - % ≥83
Dikte - kg/dm³ ≥3,03
Schijnbare porositeit - Vol% ≤0,3
Vickers-hardheid - kg/mm2 2300
Drie-punts buigsterkte 20°C MPa 260
Drie-punts buigsterkte 1300℃ MPa 282
Druksterkte 20℃ MPa 3500
Elastische modulus - GPa 360
Breuktaaiheid 20℃ MPa/m1/2 3.5
Thermische geleidbaarheid 20℃ W/(m*K) 100
Thermische geleidbaarheid 1200℃ W/(m*K) -
Volumeweerstand - Ω·cm ＜100
Coëfficiënt van thermische uitzetting (kamertemperatuur*-1300°C) ×10-6 /K 4.2
Maximale bedrijfstemperatuur Oxiderende atmosfeer ℃ 1350

Siliciumcarbidepoeder met verschillende deeltjesgroottes wordt geselecteerd als grondstof, organische en anorganische koolstofbronnen worden toegevoegd en er vindt een kogelmaling plaats met gedeïoniseerd water, dispergeermiddel, bindmiddel, enz. De bereide siliciumcarbideslurry wordt in de ontworpen gipsvorm geïnjecteerd en gesiliconiseerd in een vacuümatmosfeer bij 1600-1700 °C. Het vrije siliciumgehalte van het product is minder dan 15%.

Prestatie-indicatoren Voorwaarde eenheid Numeriek
Siliciumcarbidegehalte - % ≥85
Dikte - kg/dm³ ＞3.05
Schijnbare porositeit - Vol% ≤0,5
Vickers-hardheid - kg/mm2 2572
Drie-punts buigsterkte 20°C MPa 290
Druksterkte 20℃ MPa 2322
Elastische modulus - GPa 350
Breuktaaiheid 20℃ MPa/m1/2 3.7
Thermische geleidbaarheid 20℃ W/(m*K) 100
Thermische geleidbaarheid 1200℃ W/(m*K) 33.5
Volumeweerstand - Ω·cm ＜100
Coëfficiënt van thermische uitzetting (kamertemperatuur*-1300°C) ×10-6 /K 4.6
Maximale bedrijfstemperatuur Oxiderende atmosfeer ℃ 1350

Siliciumcarbidepoeders met verschillende deeltjesgroottes worden als grondstof gebruikt. Verschillende actieve koolbronnen worden toegevoegd als tweede fase. Vervolgens worden dispergeermiddelen, bindmiddelen, drukhulpmiddelen, enz. toegevoegd om een slurry met een hoge vaste fase te maken. Deze wordt gevormd en gesinterd door middel van reactiesiliciumvorming bij hoge temperatuur in een vacuümatmosfeer. Het vrije siliciumgehalte bedraagt 15-20%.

Prestatie-indicatoren Voorwaarde eenheid Numeriek
Siliciumcarbidegehalte - % ≥85
Dikte - kg/dm3 ＞3.05
Schijnbare porositeit - Vol% ≤0,3
Vickers-hardheid - kg/mm2 2500
Drie-punts buigsterkte 20°C MPa 260
Druksterkte 20°C MPa 3500
Elastische modulus - GPa 360
Breuktaaiheid 20°C MPa/m1/2 3.5
Thermische geleidbaarheid 20°C W/(m*K) 200
Volumeweerstand - Ω·cm ＜100
Coëfficiënt van thermische uitzetting (kamertemperatuur*-1300°C) ×10-6/K 3.14-4.66
Maximale bedrijfstemperatuur Oxiderende atmosfeer ℃ 1350

Siliciumcarbidepoeders met verschillende deeltjesgroottes worden als grondstof gebruikt en worden direct toegevoegd aan de voorgemengde vloeistof, gevormd door monomeren, vernetters, water, dispergeermiddelen, antischuimmiddelen, verharders, pH-regelaars, vertragers en andere additieven met koolstofbronnen, en gekatalyseerd door katalysatoren en initiatoren. De monomeervernetter stolt tot een driedimensionale netwerkstructuur en vergrendelt het keramische poeder in het gelnetwerk. Het door dit proces geproduceerde materiaal heeft een extreem hoge buigsterkte en breuktaaiheid.

Prestatie-indicatoren Voorwaarde eenheid Numeriek
Siliciumcarbidegehalte - % ≥85
Dikte - kg/dm3 ＞3.05-3.10
Schijnbare porositeit - Vol% ≤0,3
Vickers-hardheid - kg/mm2 2200-2500
Drie-punts buigsterkte 20°C MPa 400-450
Druksterkte 20°C MPa 3000-3500
Elastische modulus - GPa 380-420
Breuktaaiheid 20°C MPa/m1/2 3.5-4.5
Thermische geleidbaarheid 20°C W/(m*K) 120-180
Volumeweerstand - Ω·cm ＜100
Maximale bedrijfstemperatuur Oxiderende atmosfeer ℃ 1350

3D-printen van siliciumcarbidekeramiek

Siliciumcarbidepoeder met verschillende deeltjesgroottes wordt gebruikt als grondstof en wordt gevormd met behulp van een bindmiddelinjectieproces. Het wordt gesinterd bij hoge temperatuur onder vacuüm of argonbescherming. Het vrije siliciumgehalte bedraagt gewoonlijk 10-30%.

Prestatie-indicatoren Voorwaarde eenheid Numeriek
Siliciumcarbidegehalte - % ≥75
F.Si - % 10-25
Dikte - kg/dm3 2.90-3.05
Schijnbare porositeit - Vol% ≤1,0
Vickers-hardheid - kg/mm2 1800-2200
Drie-punts buigsterkte 20°C MPa 200-300
Elastische modulus - GPa 280-320
Breuktaaiheid 20°C MPa/m1/2 3.5-4.5
Thermische geleidbaarheid 20°C W/(m*K) 120-150
Thermische geleidbaarheid 1300°C W/(m*K) 25-35
Volumeweerstand - Ω·cm 100
Coëfficiënt van thermische uitzetting (kamertemperatuur*-1300°C) ×10-6 /K 4.0-4.8
Maximale bedrijfstemperatuur Oxiderende atmosfeer ℃ 1350

Als grondstof worden siliciumcarbidepoeders met verschillende deeltjesgroottes (50–100 µm) gebruikt. De grondstoffen worden gemodificeerd en gevormd door middel van een bindmiddelinjectieproces, een speciaal versterkingsproces, reactiesintering onder vacuüm of argonbescherming. Het vrije siliciumgehalte is lager dan 15%.

Prestatie-indicatoren voorwaarde eenheid Numeriek
Siliciumcarbidegehalte - % ≥85%
F.Si - % <15%
Dikte - kg/dm3 3.00-3.12
Schijnbare porositeit - Vol% ≤0,3
Vickers-hardheid - kg/mm2 2400-2700
Drie-punts buigsterkte 20°C MPa 300-400
Elastische modulus - GPa 330
Breuktaaiheid 20°C MPa/m1/2 3.84
Thermische geleidbaarheid 20°C W/(m*K) 140-170
Thermische geleidbaarheid 1300°C W/(m*K) 30-40
Volumeweerstand - Ω·cm 100
Coëfficiënt van thermische uitzetting (kamertemperatuur*-1300°C) ×10-6/K 3.14-4.56
Maximale bedrijfstemperatuur Oxiderende atmosfeer ℃ 1350

Vind siliciumcarbide keramische producten voor uw toepassing

Siliciumcarbide sinteren, keramische sintering, maatwerk - vacuüm sinteroven

⬛Microkanaalreactieproducten

Als kerncomponent van de microkanaal-chemische doorstroomreactor/apparatuur kan de siliciumcarbide-microkanaalreactor uw chemische toepassingsproblemen effectief oplossen.

GORGEOUS kan diverse microkanaalreactieproducten voor u op maat maken: siliciumcarbide reactiebuis, siliciumcarbide microreactieplaat, siliciumcarbide microreactiemodule

Aangepaste verwerking van microkanaalreactie siliciumcarbidekeramiek - siliciumcarbidereactiebuizen - siliciumcarbidereactieplaten - siliciumcarbidereactiemodules

 

⬛Corrosiebestendige warmtewisselingsproducten

Siliciumcarbidekeramiek wordt veel gebruikt in processen zoals koelen, condenseren, verwarmen, verdampen, dunnefilmverdamping en het absorberen van zeer corrosieve chemicaliën. Siliciumcarbidekeramiek levert betere prestaties en biedt hogere algemene voordelen dan traditionele warmtewisselaars.

GORGEOUS kan diverse corrosiebestendige warmtewisselaarproducten voor u op maat maken: warmtewisselplaat van siliciumcarbide, bundelblok van siliciumcarbidebuizen, plaat van siliciumcarbidebuizen, gat in warmtewisselblok van siliciumcarbide, kop van siliciumcarbide, warmtewisselbuis van siliciumcarbide, beschermhoes voor thermometer van siliciumcarbide.

 

Maatwerkbewerking van corrosiebestendige warmtewisselingsproducten van siliciumcarbide - siliciumcarbidekoppen - siliciumcarbidewarmtewisselingsplaten - gaten in siliciumcarbidewisselblokken

⬛Producten die bestand zijn tegen hoge temperaturen

De siliciumcarbidekeramiek van GORGEOUS is extreem hittebestendig en kan temperaturen tot wel 1650°C weerstaan. Daarmee is het de beste oplossing voor uw toepassingen met hoge temperaturen.

GORGEOUS kan diverse hittebestendige siliciumcarbide keramische producten voor u op maat maken: smeltkroezen van siliciumcarbide, beschermbuizen voor thermokoppels van siliciumcarbide, warmtestralingsplaten van siliciumcarbide, warmtestralingsbuizen van siliciumcarbide, reactief gesinterde branderhulzen van siliciumcarbide, keramische bussen van siliciumcarbide, enz.

Aangepaste verwerking van siliciumcarbide producten die bestand zijn tegen hoge temperaturen - siliciumcarbide smeltkroes - siliciumcarbide thermische stralingsbuis - siliciumcarbide thermokoppel beschermbuis - siliciumcarbide spuitmond

 

⬛Slijtvaste producten

GORGEOUS levert slijtvaste keramische producten, zoals siliciumcarbide slijpvoeringen, met slijpstructuren en externe warmtewisselingskanalen aan de binnenkant. De maximale buitendiameter kan 1300 mm en de hoogte 1200 mm bereiken, wat zorgt voor een hoge slijpefficiëntie.

GORGEOUS kan u ook andere op maat gemaakte slijtvaste producten leveren: 3D-geprinte slijpschijven, siliciumcarbide ontzwavelingssproeiers, siliciumcarbide waaiers, siliciumcarbide zandstraalsproeiers, siliciumcarbide zwavelzuurverstuivingssproeiers, siliciumcarbide slijpcilinders, etc.

Slijtvaste producten op maat voor de verwerking van siliciumcarbide - 3D-slijpschijf - Slijtvaste schijf/spuitmond voor siliciumcarbide-slurry - Slijtvaste tang van siliciumcarbide

 

⬛Producten die bestand zijn tegen ionenetsen

GORGEOUS kan u op maat gemaakte keramische dragerstructuren leveren die geschikt zijn voor het ICP-etsproces, PVD-proces, RTP-proces en CMP-proces bij de productie van opto-elektronische epitaxiale verlichtingswafers.

GORGEOUS kan siliciumcarbide keramische producten op maat voor u maken die bestand zijn tegen ionenetsen: siliciumcarbide PVD-drager, siliciumcarbide ICP-drager

Producten voor het ionenetsen van siliciumcarbide op maat - ICP-drager van siliciumcarbide - Etsbak van siliciumcarbide - RTP-bak van siliciumcarbide

⬛Hittebestendige producten

GORGEOUS kan u op maat gemaakte producten leveren voor hitteschokbestendige toepassingen: siliciumcarbide cantilever slurry, siliciumcarbide cantilever balk, siliciumcarbide bootondersteuning, siliciumcarbide luchtbuis, siliciumcarbide RTA drager, enz.

Op maat gemaakte, slagvaste producten van siliciumcarbide - Bak van siliciumcarbide - Cantileverbalk van siliciumcarbide - Ovenbuis van siliciumcarbide - Bootondersteuning van siliciumcarbide

 

⬛Producten met hoge zuiverheid

GORGEOUS kan u siliciumcarbidekeramiek met een ultrahoge zuiverheid leveren, met een basismateriaal zuiverheid tot 99,99%, een oppervlakte zuiverheid van de siliciumcarbidecoating tot 99,999% en een hoge temperatuurbestendigheid tot 1650 °C, waardoor de stabiliteit van uw toepassingen bij hoge temperaturen wordt gegarandeerd.

GORGEOUS kan voor u hoogwaardige siliciumcarbideproducten op maat maken: ovenbuizen van siliciumcarbide, schijven met siliciumcarbidecoating voor siliciumepitaxie, cantilever-slurries van siliciumcarbide

Hoogprecisieproducten op maat gemaakt met siliciumcarbide - Vacuümklauw van siliciumcarbide - Klauwplaat van siliciumcarbide - Robotarm van siliciumcarbide - Zuigerstang van siliciumcarbide

⬛Beschermingsproducten voor pantser

Siliciumcarbide heeft een extreem hoge hardheid en wordt veel gebruikt in pantsersystemen.

GORGEOUS kan u op maat gemaakte beschermende keramiek leveren: kogelwerende inzetstukken van siliciumcarbide, SIC-kogelwerende platen, enz.

Bewerking van siliciumcarbidekeramiek op maat gemaakte pantserbeschermingsproducten - siliciumcarbide kogelwerende plaat - siliciumcarbide kogelwerende plaat

 

Toepassingsgebieden van siliciumcarbidekeramiek

Elektronisch glas

Siliciumcarbide heeft uitstekende eigenschappen bij hoge temperaturen (sterkte, oxidatiebestendigheid, lage kruip), een hoge dichtheid, een lage porositeit en een lage verontreinigingsgraad. Het is een ideaal materiaal voor hittebestendige componenten in het elektronisch glasvormingsproces. Het wordt vaak gebruikt in warmbuigmachines voor glas, asferische glasgietmachines en andere apparatuur, zoals keramische koellichamen van siliciumcarbide, matrijshulzen van siliciumcarbide, mallen van siliciumcarbide, verwarmingsplaten van siliciumcarbide, enz.

Neem nu contact op&

Batterijmaterialen

Rollen en vierkante balken van siliciumcarbide worden veel gebruikt in sinterovens voor positieve en negatieve elektrodematerialen van lithiumbatterijen. Daarnaast kunnen slijtvaste onderdelen van siliciumcarbide met een extreem hoge hardheid en sterkte ook worden gebruikt in poederverwerkingsapparatuur, zoals het schuren en dispergeren van lithiumbatterijmaterialen. Veelgebruikte keramische siliciumcarbideproducten in de batterijmaterialenindustrie zijn onder andere vierkante en halfopen vierkante balken van siliciumcarbide, rollen van siliciumcarbide, ovenbuizen van siliciumcarbide, slijpcilinders van siliciumcarbide, enz.

Neem nu contact op&

Halfgeleider

Keramische materialen van siliciumcarbide hebben een hoge sterkte, hoge hardheid, hoge elasticiteitsmodulus, hoge thermische geleidbaarheid, lage thermische uitzettingscoëfficiënt, enz., evenals een goede specifieke stijfheid en optische verwerkingsprestaties. Ze zijn bijzonder geschikt voor bepaalde precisieaccessoires van halfgeleiderapparatuur. Ze worden bijvoorbeeld gebruikt in fotolithografiemachines, waferverwerkingsrobots, enz. Veelgebruikte siliciumcarbideproducten zijn onder andere siliciumcarbide cantilever slurry's, siliciumcarbide ringklauwen, siliciumcarbide klauwen, siliciumcarbide vacuümklauwen, siliciumcarbide robotarmen, enz.

Neem nu contact op&

Chemische en farmaceutische industrie

Siliciumcarbidekeramiek is zeer geschikt voor koel-, condensatie-, verwarmings-, verdampings-, dunnefilmverdampings- en absorptieapparatuur voor zeer corrosieve chemicaliën. Vergeleken met traditionele warmtewisselaars heeft siliciumcarbide warmtewisselaars een betere warmtewisselingsefficiëntie, waardoor ze compacter, kleiner van formaat, gemakkelijk te demonteren en lage onderhoudskosten hebben. Veelgebruikte siliciumcarbidekeramiekproducten zijn onder andere siliciumcarbide buisbundelblokken, gaten in siliciumcarbide warmtewisselaarblokken, siliciumcarbide koppen, siliciumcarbide warmtewisselaarbuizen, enz.

Neem nu contact op&

Voedings- en farmaceutische industrie

Keramische materialen bevatten geen metaalionenneerslag en zijn geschikt voor sectoren zoals voedselverwerking en farmaceutische verpakkingen waar een extreem hoge materiaalreinheid vereist is.

Neem nu contact op&

Alles-in-één service voor de productie van siliciumcarbidekeramiek

15+ Jarenlange ervaring. Hoge precisie en OEM-ontwerp. Professioneel R&D-team. Concurrerende prijzen.

Ontvang direct een offerte

Onze Pass-successen Getuigenissen

Gebruikersbeoordelingen
Wat zijn de belangrijkste voordelen van siliciumcarbide (SiC) keramiek ten opzichte van andere materialen?

Siliciumcarbidekeramiek biedt uitstekende prestaties bij veeleisende toepassingen.

  • Hoge temperatuurbestendigheid - (tot 1650°C) ideaal voor ovencomponenten of de lucht- en ruimtevaart
  • Extreem hoge hardheid (Mohs-hardheid 9,5) beter dan aluminiumoxide en zirkoniumoxide
  • Chemisch inert, bestand tegen zuur- en alkalicorrosie
  • De thermische geleidbaarheid is beter dan die van de meeste keramische warmtewisselaars
Kan SiC-keramiek tot complexe vormen worden bewerkt?

Ja, gesinterd SiC krijgt bijna de gewenste vorm tijdens het sinteren. Voor nabewerking zijn diamantgereedschappen nodig (duur). Reactief gebonden SiC biedt meer flexibiliteit bij het bewerken vóór het definitieve sinteren. 3D-printen is een opkomende technologie voor prototyping.