Céramiques semi-conductrices
Du traitement des plaquettes, de l'adsorption sous vide, de l'assemblage de précision aux processus à haute température, GORGEOUS fournit à ses clients des solutions céramiques semi-conductrices personnalisées à guichet unique.
Pièces structurelles en céramique de précision
Industrie des semi-conducteurs
Description des céramiques semi-conductrices
Les céramiques avancées sont un élément essentiel des équipements de fabrication de semi-conducteurs. La fabrication des semi-conducteurs génère une grande quantité de plasma, et il est crucial d'utiliser des matériaux résistants au plasma comme composants des équipements. Comparées aux métaux, aux résines et au verre, les céramiques avancées sont plus performantes et plus fiables. Leur résistivité se situe généralement entre les conducteurs et les isolants, et leur excellente isolation électrique les rend particulièrement adaptées à la fabrication des semi-conducteurs.
Nous vous fournissons tous les matériaux céramiques dont vous avez besoin :
✅Alumine (Al2O3) — Pureté et rigidité ultra élevées ;
✅Nitrure d'aluminium (AlN) — Excellente conductivité thermique et isolation ;
✅Nitrure de silicium (Si3N4) — Ténacité à la rupture ultra élevée et faible coefficient de dilatation thermique ;
✅Carbure de silicium (SiSiC)— Faible densité et faible coefficient de dilatation thermique.
En fonction de vos besoins, nous pouvons vous recommander le meilleur matériau pour créer pour vous des composants céramiques semi-conducteurs de très haute précision !
Garantie des délais de fabrication et d'expédition
GORGEOUS coopère avec plusieurs grandes sociétés de logistique internationales pour produire pour vous rapidement et vous livrer les produits à temps et intacts !
La fabrication et le transport de vos céramiques dépendent du procédé et de votre localisation. Nous les fabriquerons rapidement pour vous, selon vos besoins, et choisirons le mode de transport le plus adapté. Livraison aérienne la plus rapide en Amérique du Nord, arrive en 7 jours.
Les entreprises de logistique avec lesquelles nous coopérons comprennent :
- MSC (Compagnie maritime méditerranéenne)
- Maersk
- CMA CGM
- COSCO
- Hapag-Lloyd
- DHL
- UPS
- FedEx
- TNT
Nous travaillons avec plusieurs transitaires pour vous garantir des options d'expédition efficaces à des prix inférieurs, livraison à temps, et pas de frais cachés !

Fabrication

Emballage

Chargement

Transport
Principales propriétés des céramiques semi-conductrices

Dureté élevée

Résistant à l'usure

Résistant à la corrosion

Résistance aux hautes températures

Isolation solide
SUPERBE Référence de précision de produit personnalisable
Technologie de traitement | paramètre | Précision réalisable |
Fraisage | Planéité, parallélisme, Ra | Ra≥0,05 μm” Planéité < 1 μm |
Affûtage | Platitude | 5 μm < Ø 200 mm / 10 μm > Ø 200 mm |
Rugosité | Ra de 0,15 μm à 0,6 μm | |
Parallélisme | 5 μm < Ø 200 mm / 10 μm > Ø 200 mm | |
Érosion | Symétrique | Max. 0,05 mm (trou/fente de positionnement) |
Polissage | Planéité, parallélisme, rugosité | Ra0,06 μm-0,35 μm Planéité < 2 μm Parallélisme < 2 μm |
Structuration | Rugosité | Rugosité < 3,2 μm Taille < 150 μm |
*La précision spécifique doit être déterminée en fonction du matériau, de la forme et des exigences du processus du produit réel.

Procédé optionnel de céramique semi-conductrice
Type de produit | Demandes spéciales |
substrat en céramique | Polissage, revêtement de métallisation, placage à l'or |
Bras en céramique | Polissage miroir, fentes d'aération, revêtement antistatique |
Bagues/joints en céramique | Sablage, revêtement en téflon, revêtement de surface |
Tube en céramique | Polissage des parois intérieures, pressage isostatique à chaud, revêtement de surface |
Ventouse en céramique | Traitement de micro-trous, traitement de trous borgnes, conception d'évents d'adsorption |
Élément chauffant en céramique | Revêtement métallisé, glaçure de surface, revêtement antistatique |
Paramètres et sélection de matériaux céramiques semi-conducteurs personnalisés

Article | Unité | nitrure de silicium |
Densité | g/cm3 | >3.2 |
Dureté | – | HRA90 |
Dureté Vickers (Hv50) | HV0,5 | >1550 |
Module d'élasticité | moyenne générale | 290 |
Résistance à la flexion | MPa | >600 |
Résistance à la compression | MPa | 2500 |
Résistance à la fracture | MPam1/2 | >6.0 |
Température maximale d'utilisation | °C | 1200 |
Conductivité thermique | W / (M·K) | 15-20 |
Coefficient de dilatation thermique | 10-6 /℃ | >3.1 |
Résistance aux chocs thermiques | △T℃ | 500 |
Capacité thermique spécifique | KJ/kg·K | 700 |
Rigidité diélectrique | KV/mm | 1 |
constante diélectrique | εr | – |
Résistivité volumique à 20℃ | Ω.cm | 1,0 × 1012 |
Article | Unité | Carbure de silicium fritté sans pression | Carbure de silicium lié par réaction | Carbure de silicium fritté recristallisé |
Température maximale de fonctionnement | °C | 1600 | 1380 | 1650 |
Densité | g/cm3 | >3.1 | >3.02 | >2.6 |
Porosité | % | <0,1 | <0,1 | 15% |
Résistance à la flexion | MPa | >400 | 250 (20 ℃) | 90-100 (20 °C) |
MPa | – | 280 (1200 ℃) | 100-120 (1100 ℃) | |
Module d'élasticité | moyenne générale | 420 | 330 (20 ℃) | 240 |
moyenne générale | – | 300 (1200 ℃) | – | |
Conductivité thermique | W/mk | 74 | 45 (1200 ℃) | 24 |
Coefficient de dilatation thermique | K-1×10-6 | 4.1 | 4.5 | 4.8 |
Dureté Vickers | moyenne générale | 22 | 20 | – |
Résistance aux acides et aux alcalis | – | excellent | excellent | excellent |
Propriété | Unité | AL2O3 99.7 | AL2O3 99.5 | AL2O3 99 | AL2O3 95 |
Pureté | — | 99.7% | 99.5% | 99% | 95% |
Densité | g/cm3 | 3.92 | 3.9 | 3.8 | 3.7 |
Résistance à la flexion | MPa | 375 | 370 | 340 | 304 |
Résistance à la compression | MPa | 2450 | 2300 | 2250 | 1910 |
Module d'élasticité | moyenne générale | 380 | 370 | 330 | 330 |
Résistance à la fracture | MPam1/2 | 4.5 | 4.3 | 4.2 | 3.8 |
Dureté | HRA | 91 | 91 | 90 | 89 |
Dureté Vickers | HV1 | 1600 | 1550 | 1450 | 1400 |
Coefficient de dilatation thermique | 10- 6 K-1 | 7.8 | 7.8 | 7.7 | 7.5 |
Conductivité thermique | W/mk | 32 | 32 | 25 | 25 |
Stabilité aux chocs thermiques | △T.℃ | 220 | 220 | 200 | 200 |
Température maximale de fonctionnement | °C | 1750 | 1750 | 1700 | 1500 |
Résistance volumique à 20℃ | Ω·cm | 1015 | 1015 | 1014 | 1014 |
Rigidité diélectrique | KV/mm | 22 | 20 | 16 | 15 |
Constante diélectrique (température ambiante) | / | 10 | 11 | 11.5 | 11 |
Facteur de perte diélectrique MHz | tan δ | 1×10-3 | 1×10-3 | 3×10-3 | 3×10-3 |
Article | Unité | nitrure d'aluminium |
Densité | g/cm3 | 3.31 |
Module d'élasticité | moyenne générale | 310 |
Résistance à la fracture | MPa × m1/2 | 3.5 |
coefficient de Poisson | – | 0.25 |
Compression | MPa | 2100 |
Résistance à la flexion | MPa | 335 |
Dureté (Vickers) | moyenne générale | 11 |
Dureté (Knoop 100g) | Kg/mm2 | 1170 |
Référence de type d'extrémité d'arbre en céramique personnalisable

Produits en alumine
❇️Plaques de polissage de plaquettes :La dureté élevée et la résistance à l'usure garantissent une grande précision et une longue durée de vie du polissage des plaquettes.
❇️Effecteurs terminaux / Manipulation des plaquettes :Excellente résistance mécanique et stabilité chimique, adaptée à la manipulation de plaquettes dans des environnements à haute propreté.
❇️Produits métallisés :Bonne conductivité électrique et résistance aux hautes températures, adaptée aux appareils électroniques haute puissance.
❇️Anneaux de chambre / Cibles de pulvérisation :La haute pureté et la résistance à la corrosion garantissent la stabilité et la cohérence du processus de dépôt de couches minces.
Produits en carbure de silicium
❇️Plaques de polissage de plaquettes :Dureté et conductivité thermique extrêmement élevées, adaptées au polissage efficace et de haute précision des plaquettes.
❇️Mandrins électrostatiques :Une excellente conductivité thermique et une isolation électrique garantissent une adsorption stable des plaquettes à haute température.
❇️Mandrins à vide :Haute résistance et résistance à la chaleur, adapté à la fixation de plaquettes dans un environnement à vide élevé.
❇️Effecteurs terminaux / Manipulation des plaquettes :Léger et très rigide, adapté à la manipulation de plaquettes à grande vitesse et à haute précision.
❇️Anneaux de chambre :Excellente résistance aux hautes températures et à la corrosion, adaptée aux environnements de processus de semi-conducteurs difficiles.
Quelles sont les utilisations des céramiques semi-conductrices ?

Bras robotique en céramique/processeur d'extrémité en céramique
Le bras en céramique joue un rôle de transport et de manutention dans les équipements à semi-conducteurs, équivalent au bras d'un robot. Il est principalement responsable du transport des plaquettes et des puces de silicium vers les emplacements prévus.

Élément chauffant en céramique semi-conducteur
Les éléments chauffants pour semi-conducteurs présentent une excellente conductivité thermique, une résistance aux températures élevées et une excellente isolation électrique. Ils chauffent rapidement et uniformément et sont largement utilisés dans la fabrication de semi-conducteurs, les équipements optoélectroniques et d'autres applications.

Mandrin en céramique pour plaquette sous vide
Le mandrin à vide est un dispositif essentiel pour l'usinage de précision et la fabrication de semi-conducteurs. Il est conçu pour fixer et manipuler des plaquettes de silicium ou d'autres matériaux minces. Il utilise le principe de l'adsorption sous vide pour garantir la stabilité de la plaquette et son immobilité pendant le traitement, les tests ou le nettoyage.

Pièces d'équipement semi-conducteur
De nombreux dispositifs semi-conducteurs utilisent des produits céramiques avancés, tels que des disques isolants en céramique, des anneaux isolants en céramique, des thermistances, des céramiques sensibles aux gaz, des céramiques photosensibles, etc.
Service unique de fabrication de céramiques semi-conductrices
15+ Des années d'expérience. Haute précision et conception OEM. Équipe de recherche et développement professionnelle. Prix compétitifs.
Quelle est la durée de vie de vos produits ?
Nos produits en céramique semi-conductrice ont une excellente durabilité et peuvent fonctionner de manière stable pendant longtemps dans des environnements à haute température, haute pression et corrosifs, réduisant ainsi vos coûts de remplacement.
Comment choisir les matériaux ?
Selon les différents scénarios d'application, nous vous recommandons de choisir le bon matériau :
- Nitrure d'aluminium (AlN) : Il présente une excellente conductivité thermique (> 170 W/m·K) et une excellente isolation électrique, et convient aux dispositifs semi-conducteurs de haute puissance.
- Oxyde d'aluminium (Al₂O₃) : Il présente une bonne résistance mécanique et une bonne résistance à la corrosion et est largement utilisé dans les composants électroniques conventionnels.
- Nitrure de silicium (Si₃N₄) : Il présente à la fois une stabilité à haute température et une résistance aux chocs, et est particulièrement adapté aux composants clés dans les environnements difficiles.
Vos capacités de personnalisation
Nous prenons en charge la personnalisation de spécifications variées et de structures complexes. Qu'il s'agisse d'un usinage de précision au micron près ou de la fabrication de pièces de formes spéciales, nous pouvons répondre à vos exigences.