Halfgeleiderkeramiek

Van waferverwerking, vacuümadsorptie, precisie-assemblage tot hogetemperatuurprocessen: GORGEOUS biedt klanten alles-in-één oplossingen op maat voor keramische halfgeleidertechnologie.

Precisie keramische structurele onderdelen

Pan-halfgeleiderindustrie

Beschrijving van halfgeleiderkeramiek

Geavanceerde keramiek is een essentieel onderdeel van apparatuur voor de productie van halfgeleiders. Tijdens het productieproces van halfgeleiders wordt een grote hoeveelheid plasma gegenereerd. Het is daarom cruciaal om plasmabestendige materialen te gebruiken als componenten. Vergeleken met metalen, harsen en glas zijn geavanceerde keramische materialen beter presterend en betrouwbaarder. Hun weerstand bevindt zich meestal tussen geleiders en isolatoren en hun elektrische isolatie is uitstekend, waardoor ze zeer geschikt zijn voor halfgeleiderproductieprocessen.

Wij leveren u alle keramische materialen die u nodig heeft:

Aluminiumoxide (Al2O3)  — Ultrahoge zuiverheid en stijfheid;

Aluminium nitride (AlN)  — Uitstekende thermische geleidbaarheid en isolatie;

Siliciumnitride (Si3N4)  — Zeer hoge breuktaaiheid en lage thermische uitzettingscoëfficiënt;

Siliciumcarbide (SiSiC) Lage dichtheid en thermische uitzettingscoëfficiënt.

Wij adviseren u graag over het beste materiaal om uiterst precieze keramische halfgeleidercomponenten te maken, afgestemd op uw behoeften!

 

Garantie productie- en verzendtijd

GORGEOUS werkt samen met meerdere toonaangevende internationale logistieke bedrijven, zodat wij snel voor u kunnen produceren en de producten op tijd en intact bij u afleveren!

De productie en het transport van keramiek worden beïnvloed door het proces en uw locatie. Wij produceren ze snel voor u volgens uw plan en kiezen de beste transportmethode. Snelste luchtlevering in Noord-Amerika, aankomst binnen 7 dagen.

De logistieke bedrijven waarmee wij samenwerken zijn onder andere:

  • MSC (Mediterrane Scheepvaartmaatschappij)
  • Maersk
  • CMA CGM
  • COSCO
  • Hapag-Lloyd
  • DHL
  • UPS
  • FedEx
  • TNT

Wij werken samen met meerdere expediteurs om u efficiënte verzendopties tegen lagere prijzen te garanderen, tijdige levering, En geen verborgen kosten!

Productie

Verpakking

Bezig met laden

Vervoer

Belangrijkste eigenschappen van halfgeleiderkeramiek

Hoge hardheid

Slijtvast

Corrosiebestendig

Hoge temperatuurbestendigheid

Sterke isolatie

PRACHTIGE Aanpasbare productnauwkeurigheidsreferentie

Verwerkingstechnologie parameter Haalbare nauwkeurigheid
Frezen Vlakheid, parallelliteit, Ra Ra≥0,05 μm”
Vlakheid<1μm
Slijpen Vlakheid 5 μm < Ø 200 mm / 10 μm > Ø 200 mm
Ruwheid Ra van 0,15 μm tot 0,6 μm
Parallelisme 5 μm < Ø 200 mm / 10 μm > Ø 200 mm
Eroderend Symmetrisch Max. 0,05 mm (gat/positioneringssleuf)
Polijsten Vlakheid, parallelliteit, ruwheid Ra0,06μm-0,35μm
Vlakheid<2μm
Parallelisme<2μm
Structureren Ruwheid Ruwheid < 3,2 μm
Grootte < 150 μm

*De specifieke nauwkeurigheid moet worden bepaald op basis van het daadwerkelijke productmateriaal, de vorm en de procesvereisten.

Halfgeleiderkeramiek

Halfgeleiderkeramiek optioneel proces

Producttype Speciale verzoeken
Keramisch substraat Polijsten, metalliseren, vergulden
Keramische arm Spiegelpolijsten, ventilatiesleuven, antistatische coating
Keramische ringen/pakkingen Zandstralen, Teflon coating, oppervlaktecoating
Keramische buis Binnenwandpolijsten, warm isostatisch persen, oppervlaktecoating
Keramische zuignap Verwerking van microgaten, verwerking van blinde gaten, ontwerp van adsorptieopeningen
Keramisch verwarmingselement Gemetalliseerde coating, oppervlakteglazuur, antistatische coating

 

                         Alumina keramische klauw | Microporeuze klauw | Poreuze keramische klauw | Waferklauw | Keramische klauw | Onderdelen voor halfgeleiderapparatuur | CMP-apparatuurklauw          Alumina keramische schijf | Onderdelen voor Canon lithografieapparatuur | Alumina keramische reinigingssteen | Keramische accessoires voor halfgeleiderapparatuur          Halfgeleider keramische ring

                         Halfgeleider keramische ring          Halfgeleider keramische ring          Halfgeleider keramische ring

                         Halfgeleider keramische ring          Onderdelen van halfgeleiderapparatuur 99,7 aluminiumoxidekeramiek Industriële keramiek          Keramische onderdelen van siliciumcarbide/kroeshouder/keramische houder/keramisch armatuur

                         Halfgeleiderbevestiging/Keramische onderdelen van siliciumcarbide/Ondersteuning voor platina kroes/Ondersteuning voor keramische kroes          Halfgeleiderbevestiging/Keramische onderdelen van siliciumcarbide/Ondersteuning voor platina kroes/Ondersteuning voor keramische kroes          Halfgeleider keramische robot

                         Halfgeleideraccessoires          Keramische onderdelen voor halfgeleiders | Precisiemechanische handgrepen | Speciaal gevormde onderdelen van aluminiumoxidekeramiek          Halfgeleider keramische vork

 

Aangepaste parameters en selectie van keramische halfgeleidermaterialen

Halfgeleider keramische klauwplaat
Item Eenheid Siliciumnitride
Dikte g/cm3 >3.2
Hardheid HRA90
Vickers-hardheid (HV50) HV0.5 >1550
Elasticiteitsmodulus GPa 290
Buigsterkte MPa >600
Druksterkte MPa 2500
Breuktaaiheid MPam1/2 >6.0
Maximale gebruikstemperatuur 1200
Thermische geleidbaarheid W / (M·K) 15-20
Thermische uitzettingscoëfficiënt 10-6    /℃ >3.1
Thermische schokbestendigheid △T℃ 500
Specifieke warmtecapaciteit KJ/kg·K 700
Diëlektrische sterkte kV/mm 1
Diëlektrische constante er
Volumeweerstand bij 20℃ Ω.cm 1,0×1012

 

Item Eenheid Drukloos gesinterd siliciumcarbide Reactiegebonden siliciumcarbide Herkristalliseerd gesinterd siliciumcarbide
Maximale bedrijfstemperatuur 1600 1380 1650
Dikte g/cm3 >3.1 >3.02 >2.6
Porositeit % <0,1 <0,1 15%
Buigsterkte MPa >400 250 (20℃) 90-100 (20℃)
MPa 280 (1200℃) 100-120 (1100℃)
Elastische modulus GPa 420 330 (20℃) 240
GPa 300 (1200℃)
Thermische geleidbaarheid W/mk 74 45(1200℃) 24
Coëfficiënt van thermische uitzetting K-1×10-6 4.1 4.5 4.8
Vickers-hardheid GPa 22 20
Zuur- en alkalibestendigheid uitstekend uitstekend uitstekend

 

Eigendom Eenheid AL2O3 99.7 AL2O3 99.5 AL2O3 99 AL2O3 95
Zuiverheid 99.7% 99.5% 99% 95%
Dikte g/cm3 3.92 3.9 3.8 3.7
Buigsterkte MPa 375 370 340 304
Druksterkte MPa 2450 2300 2250 1910
Elastische modulus GPa 380 370 330 330
Breuktaaiheid MPam1/2 4.5 4.3 4.2 3.8
Hardheid HRA 91 91 90 89
Vickers-hardheid HV1 1600 1550 1450 1400
Thermische uitzettingscoëfficiënt 10- 6    K-1 7.8 7.8 7.7 7.5
Thermische geleidbaarheid W/mk 32 32 25 25
Thermische schokstabiliteit △T.℃ 220 220 200 200
Maximale bedrijfstemperatuur 1750 1750 1700 1500
Volumeweerstand bij 20℃ Ω·cm 1015 1015 1014 1014
Diëlektrische sterkte kV/mm 22 20 16 15
Diëlektrische constante (kamertemperatuur) / 10 11 11.5 11
MHz diëlektrische verliesfactor bruin δ 1×10-3 1×10-3 3×10-3 3×10-3

 

Item Eenheid Aluminiumnitride
Dikte g/cm3 3.31
Elasticiteitsmodulus GPa 310
Breuktaaiheid MPa × m1/2 3.5
Poisson-verhouding 0.25
Samendrukkend MPa 2100
Buigsterkte MPa 335
Hardheid (Vickers) GPa 11
Hardheid (Knoop 100g) kg/mm2 1170

 

Aanpasbare keramische schachteindtypereferentie

Wat is halfgeleiderkeramiek?

Producten van aluminiumoxidemateriaal

❇️Waferpolijstplaten:Hoge hardheid en slijtvastheid zorgen voor hoge precisie en lange levensduur van waferpolijsten.

❇️Eindeffectoren / Waferbehandeling:Uitstekende mechanische sterkte en chemische stabiliteit, geschikt voor waferverwerking in zeer schone omgevingen.

❇️Gemetalliseerde producten:Goede elektrische geleiding en hoge temperatuurbestendigheid, geschikt voor elektronische apparaten met een hoog vermogen.

❇️Kamerringen / Sputterdoelen:Hoge zuiverheid en corrosiebestendigheid garanderen de stabiliteit en consistentie van het dunnefilmafzettingsproces.

Siliciumcarbide materiaalproducten

❇️Waferpolijstplaten:Extreem hoge hardheid en thermische geleidbaarheid, geschikt voor efficiënt en zeer nauwkeurig waferpolijsten.

❇️Elektrostatische klauwplaten:Uitstekende thermische geleidbaarheid en elektrische isolatie zorgen voor stabiele adsorptie van wafers bij hoge temperaturen.

❇️Vacuümklemmen:Hoge sterkte en hittebestendigheid, geschikt voor het bevestigen van wafers in omgevingen met een hoog vacuüm.

❇️Eindeffectoren / Waferbehandeling:Lichtgewicht en zeer stijf, geschikt voor snelle, uiterst nauwkeurige waferverwerking.

❇️Kamerringen:Uitstekende bestendigheid tegen hoge temperaturen en corrosie, geschikt voor zware halfgeleiderprocesomgevingen.

Wat zijn de toepassingen van halfgeleiderkeramiek?

Keramische robotarm/keramische eindprocessor

De keramische arm vervult de rol van transport en drager in halfgeleiderapparatuur, vergelijkbaar met de arm van een robot in halfgeleiderapparatuur. Hij is voornamelijk verantwoordelijk voor het transporteren van wafers en siliciumchips naar de aangewezen locaties.

Halfgeleider keramische verwarmer

Halfgeleiderverwarmers hebben een uitstekende thermische geleidbaarheid, hoge temperatuurbestendigheid en elektrische isolatie. Ze kunnen snel en gelijkmatig opwarmen en worden veel gebruikt in de halfgeleiderproductie, opto-elektronische apparatuur en andere toepassingen.

Vacuüm Wafer Keramische Klem

Een vacuümwaferklem is een belangrijk apparaat voor precisiebewerking en de productie van halfgeleiders. Het is ontworpen voor het fixeren en hanteren van siliciumwafers of andere dunne materialen. Het maakt gebruik van het principe van vacuümadsorptie om ervoor te zorgen dat de wafer stabiel is en niet beweegt tijdens de verwerking, het testen of het reinigen.

Onderdelen van halfgeleiderapparatuur

Veel halfgeleiderapparaten maken gebruik van geavanceerde keramische producten, zoals keramische isolatieschijven, keramische isolatieringen, thermistoren, gasgevoelige keramiek, lichtgevoelige keramiek, enzovoort.

Alles-in-één service voor de productie van halfgeleiderkeramiek

15+ Jarenlange ervaring. Hoge precisie en OEM-ontwerp. Professioneel R&D-team. Concurrerende prijzen.

Onze Pass-successen Getuigenissen

Gebruikersbeoordelingen
Wat is de levensduur van uw producten?

Onze keramische halfgeleiderproducten zijn zeer duurzaam en werken langdurig stabiel in omgevingen met hoge temperaturen, hoge druk en corrosieve omgevingen. Hierdoor dalen uw vervangingskosten.

Hoe kies ik materialen?

Afhankelijk van de verschillende toepassingsscenario's adviseren wij u het juiste materiaal te kiezen:

  • Aluminium nitride (AlN): Het heeft een uitstekende thermische geleidbaarheid (>170 W/m·K) en elektrische isolatie en is geschikt voor halfgeleiderapparaten met een hoog vermogen.
  • Aluminiumoxide (Al₂O₃): Het heeft een goede mechanische sterkte en corrosiebestendigheid en wordt veel gebruikt in conventionele elektronische componenten.
  • Siliciumnitride (Si₃N₄): Het is zowel temperatuurstabiel als slagvast en is bijzonder geschikt voor belangrijke componenten in zware omstandigheden.
Uw aanpassingsmogelijkheden

Wij ondersteunen maatwerk voor diverse specificaties en complexe structuren. Of het nu gaat om precisiebewerking op micronniveau of de productie van speciaal gevormde onderdelen, wij kunnen aan uw eisen voldoen.