Halfgeleiderkeramiek
Van waferverwerking, vacuümadsorptie, precisie-assemblage tot hogetemperatuurprocessen: GORGEOUS biedt klanten alles-in-één oplossingen op maat voor keramische halfgeleidertechnologie.
Precisie keramische structurele onderdelen
Pan-halfgeleiderindustrie
Beschrijving van halfgeleiderkeramiek
Geavanceerde keramiek is een essentieel onderdeel van apparatuur voor de productie van halfgeleiders. Tijdens het productieproces van halfgeleiders wordt een grote hoeveelheid plasma gegenereerd. Het is daarom cruciaal om plasmabestendige materialen te gebruiken als componenten. Vergeleken met metalen, harsen en glas zijn geavanceerde keramische materialen beter presterend en betrouwbaarder. Hun weerstand bevindt zich meestal tussen geleiders en isolatoren en hun elektrische isolatie is uitstekend, waardoor ze zeer geschikt zijn voor halfgeleiderproductieprocessen.
Wij leveren u alle keramische materialen die u nodig heeft:
✅Aluminiumoxide (Al2O3) — Ultrahoge zuiverheid en stijfheid;
✅Aluminium nitride (AlN) — Uitstekende thermische geleidbaarheid en isolatie;
✅Siliciumnitride (Si3N4) — Zeer hoge breuktaaiheid en lage thermische uitzettingscoëfficiënt;
✅Siliciumcarbide (SiSiC)— Lage dichtheid en thermische uitzettingscoëfficiënt.
Wij adviseren u graag over het beste materiaal om uiterst precieze keramische halfgeleidercomponenten te maken, afgestemd op uw behoeften!
Garantie productie- en verzendtijd
GORGEOUS werkt samen met meerdere toonaangevende internationale logistieke bedrijven, zodat wij snel voor u kunnen produceren en de producten op tijd en intact bij u afleveren!
De productie en het transport van keramiek worden beïnvloed door het proces en uw locatie. Wij produceren ze snel voor u volgens uw plan en kiezen de beste transportmethode. Snelste luchtlevering in Noord-Amerika, aankomst binnen 7 dagen.
De logistieke bedrijven waarmee wij samenwerken zijn onder andere:
- MSC (Mediterrane Scheepvaartmaatschappij)
- Maersk
- CMA CGM
- COSCO
- Hapag-Lloyd
- DHL
- UPS
- FedEx
- TNT
Wij werken samen met meerdere expediteurs om u efficiënte verzendopties tegen lagere prijzen te garanderen, tijdige levering, En geen verborgen kosten!

Productie

Verpakking

Bezig met laden

Vervoer
Belangrijkste eigenschappen van halfgeleiderkeramiek

Hoge hardheid

Slijtvast

Corrosiebestendig

Hoge temperatuurbestendigheid

Sterke isolatie
PRACHTIGE Aanpasbare productnauwkeurigheidsreferentie
Verwerkingstechnologie | parameter | Haalbare nauwkeurigheid |
Frezen | Vlakheid, parallelliteit, Ra | Ra≥0,05 μm” Vlakheid<1μm |
Slijpen | Vlakheid | 5 μm < Ø 200 mm / 10 μm > Ø 200 mm |
Ruwheid | Ra van 0,15 μm tot 0,6 μm | |
Parallelisme | 5 μm < Ø 200 mm / 10 μm > Ø 200 mm | |
Eroderend | Symmetrisch | Max. 0,05 mm (gat/positioneringssleuf) |
Polijsten | Vlakheid, parallelliteit, ruwheid | Ra0,06μm-0,35μm Vlakheid<2μm Parallelisme<2μm |
Structureren | Ruwheid | Ruwheid < 3,2 μm Grootte < 150 μm |
*De specifieke nauwkeurigheid moet worden bepaald op basis van het daadwerkelijke productmateriaal, de vorm en de procesvereisten.

Halfgeleiderkeramiek optioneel proces
Producttype | Speciale verzoeken |
Keramisch substraat | Polijsten, metalliseren, vergulden |
Keramische arm | Spiegelpolijsten, ventilatiesleuven, antistatische coating |
Keramische ringen/pakkingen | Zandstralen, Teflon coating, oppervlaktecoating |
Keramische buis | Binnenwandpolijsten, warm isostatisch persen, oppervlaktecoating |
Keramische zuignap | Verwerking van microgaten, verwerking van blinde gaten, ontwerp van adsorptieopeningen |
Keramisch verwarmingselement | Gemetalliseerde coating, oppervlakteglazuur, antistatische coating |
Aangepaste parameters en selectie van keramische halfgeleidermaterialen

Item | Eenheid | Siliciumnitride |
Dikte | g/cm3 | >3.2 |
Hardheid | – | HRA90 |
Vickers-hardheid (HV50) | HV0.5 | >1550 |
Elasticiteitsmodulus | GPa | 290 |
Buigsterkte | MPa | >600 |
Druksterkte | MPa | 2500 |
Breuktaaiheid | MPam1/2 | >6.0 |
Maximale gebruikstemperatuur | ℃ | 1200 |
Thermische geleidbaarheid | W / (M·K) | 15-20 |
Thermische uitzettingscoëfficiënt | 10-6 /℃ | >3.1 |
Thermische schokbestendigheid | △T℃ | 500 |
Specifieke warmtecapaciteit | KJ/kg·K | 700 |
Diëlektrische sterkte | kV/mm | 1 |
Diëlektrische constante | er | – |
Volumeweerstand bij 20℃ | Ω.cm | 1,0×1012 |
Item | Eenheid | Drukloos gesinterd siliciumcarbide | Reactiegebonden siliciumcarbide | Herkristalliseerd gesinterd siliciumcarbide |
Maximale bedrijfstemperatuur | ℃ | 1600 | 1380 | 1650 |
Dikte | g/cm3 | >3.1 | >3.02 | >2.6 |
Porositeit | % | <0,1 | <0,1 | 15% |
Buigsterkte | MPa | >400 | 250 (20℃) | 90-100 (20℃) |
MPa | – | 280 (1200℃) | 100-120 (1100℃) | |
Elastische modulus | GPa | 420 | 330 (20℃) | 240 |
GPa | – | 300 (1200℃) | – | |
Thermische geleidbaarheid | W/mk | 74 | 45(1200℃) | 24 |
Coëfficiënt van thermische uitzetting | K-1×10-6 | 4.1 | 4.5 | 4.8 |
Vickers-hardheid | GPa | 22 | 20 | – |
Zuur- en alkalibestendigheid | – | uitstekend | uitstekend | uitstekend |
Eigendom | Eenheid | AL2O3 99.7 | AL2O3 99.5 | AL2O3 99 | AL2O3 95 |
Zuiverheid | — | 99.7% | 99.5% | 99% | 95% |
Dikte | g/cm3 | 3.92 | 3.9 | 3.8 | 3.7 |
Buigsterkte | MPa | 375 | 370 | 340 | 304 |
Druksterkte | MPa | 2450 | 2300 | 2250 | 1910 |
Elastische modulus | GPa | 380 | 370 | 330 | 330 |
Breuktaaiheid | MPam1/2 | 4.5 | 4.3 | 4.2 | 3.8 |
Hardheid | HRA | 91 | 91 | 90 | 89 |
Vickers-hardheid | HV1 | 1600 | 1550 | 1450 | 1400 |
Thermische uitzettingscoëfficiënt | 10- 6 K-1 | 7.8 | 7.8 | 7.7 | 7.5 |
Thermische geleidbaarheid | W/mk | 32 | 32 | 25 | 25 |
Thermische schokstabiliteit | △T.℃ | 220 | 220 | 200 | 200 |
Maximale bedrijfstemperatuur | ℃ | 1750 | 1750 | 1700 | 1500 |
Volumeweerstand bij 20℃ | Ω·cm | 1015 | 1015 | 1014 | 1014 |
Diëlektrische sterkte | kV/mm | 22 | 20 | 16 | 15 |
Diëlektrische constante (kamertemperatuur) | / | 10 | 11 | 11.5 | 11 |
MHz diëlektrische verliesfactor | bruin δ | 1×10-3 | 1×10-3 | 3×10-3 | 3×10-3 |
Item | Eenheid | Aluminiumnitride |
Dikte | g/cm3 | 3.31 |
Elasticiteitsmodulus | GPa | 310 |
Breuktaaiheid | MPa × m1/2 | 3.5 |
Poisson-verhouding | – | 0.25 |
Samendrukkend | MPa | 2100 |
Buigsterkte | MPa | 335 |
Hardheid (Vickers) | GPa | 11 |
Hardheid (Knoop 100g) | kg/mm2 | 1170 |
Aanpasbare keramische schachteindtypereferentie

Producten van aluminiumoxidemateriaal
❇️Waferpolijstplaten:Hoge hardheid en slijtvastheid zorgen voor hoge precisie en lange levensduur van waferpolijsten.
❇️Eindeffectoren / Waferbehandeling:Uitstekende mechanische sterkte en chemische stabiliteit, geschikt voor waferverwerking in zeer schone omgevingen.
❇️Gemetalliseerde producten:Goede elektrische geleiding en hoge temperatuurbestendigheid, geschikt voor elektronische apparaten met een hoog vermogen.
❇️Kamerringen / Sputterdoelen:Hoge zuiverheid en corrosiebestendigheid garanderen de stabiliteit en consistentie van het dunnefilmafzettingsproces.
Siliciumcarbide materiaalproducten
❇️Waferpolijstplaten:Extreem hoge hardheid en thermische geleidbaarheid, geschikt voor efficiënt en zeer nauwkeurig waferpolijsten.
❇️Elektrostatische klauwplaten:Uitstekende thermische geleidbaarheid en elektrische isolatie zorgen voor stabiele adsorptie van wafers bij hoge temperaturen.
❇️Vacuümklemmen:Hoge sterkte en hittebestendigheid, geschikt voor het bevestigen van wafers in omgevingen met een hoog vacuüm.
❇️Eindeffectoren / Waferbehandeling:Lichtgewicht en zeer stijf, geschikt voor snelle, uiterst nauwkeurige waferverwerking.
❇️Kamerringen:Uitstekende bestendigheid tegen hoge temperaturen en corrosie, geschikt voor zware halfgeleiderprocesomgevingen.
Wat zijn de toepassingen van halfgeleiderkeramiek?

Keramische robotarm/keramische eindprocessor
De keramische arm vervult de rol van transport en drager in halfgeleiderapparatuur, vergelijkbaar met de arm van een robot in halfgeleiderapparatuur. Hij is voornamelijk verantwoordelijk voor het transporteren van wafers en siliciumchips naar de aangewezen locaties.

Halfgeleider keramische verwarmer
Halfgeleiderverwarmers hebben een uitstekende thermische geleidbaarheid, hoge temperatuurbestendigheid en elektrische isolatie. Ze kunnen snel en gelijkmatig opwarmen en worden veel gebruikt in de halfgeleiderproductie, opto-elektronische apparatuur en andere toepassingen.

Vacuüm Wafer Keramische Klem
Een vacuümwaferklem is een belangrijk apparaat voor precisiebewerking en de productie van halfgeleiders. Het is ontworpen voor het fixeren en hanteren van siliciumwafers of andere dunne materialen. Het maakt gebruik van het principe van vacuümadsorptie om ervoor te zorgen dat de wafer stabiel is en niet beweegt tijdens de verwerking, het testen of het reinigen.

Onderdelen van halfgeleiderapparatuur
Veel halfgeleiderapparaten maken gebruik van geavanceerde keramische producten, zoals keramische isolatieschijven, keramische isolatieringen, thermistoren, gasgevoelige keramiek, lichtgevoelige keramiek, enzovoort.
Alles-in-één service voor de productie van halfgeleiderkeramiek
15+ Jarenlange ervaring. Hoge precisie en OEM-ontwerp. Professioneel R&D-team. Concurrerende prijzen.
Wat is de levensduur van uw producten?
Onze keramische halfgeleiderproducten zijn zeer duurzaam en werken langdurig stabiel in omgevingen met hoge temperaturen, hoge druk en corrosieve omgevingen. Hierdoor dalen uw vervangingskosten.
Hoe kies ik materialen?
Afhankelijk van de verschillende toepassingsscenario's adviseren wij u het juiste materiaal te kiezen:
- Aluminium nitride (AlN): Het heeft een uitstekende thermische geleidbaarheid (>170 W/m·K) en elektrische isolatie en is geschikt voor halfgeleiderapparaten met een hoog vermogen.
- Aluminiumoxide (Al₂O₃): Het heeft een goede mechanische sterkte en corrosiebestendigheid en wordt veel gebruikt in conventionele elektronische componenten.
- Siliciumnitride (Si₃N₄): Het is zowel temperatuurstabiel als slagvast en is bijzonder geschikt voor belangrijke componenten in zware omstandigheden.
Uw aanpassingsmogelijkheden
Wij ondersteunen maatwerk voor diverse specificaties en complexe structuren. Of het nu gaat om precisiebewerking op micronniveau of de productie van speciaal gevormde onderdelen, wij kunnen aan uw eisen voldoen.