半导体陶瓷
从晶圆加工、真空吸附、精密组装到高温工艺，GORGEOUS为客户提供一站式定制化半导体陶瓷解决方案。
精密陶瓷结构件
泛半导体产业
半导体陶瓷描述
先进陶瓷是半导体制造设备的关键部分。 半导体制造过程中会产生大量等离子体，因此使用耐等离子体材料作为设备部件至关重要。与金属、树脂和玻璃相比，先进陶瓷性能更佳，可靠性更高。它们的电阻率通常介于导体和绝缘体之间，且电绝缘性优异，非常适合半导体制造工艺。
我们为您提供所需的所有陶瓷材料：
✅氧化铝（Al2O3） — 超高的纯度和刚性；
✅氮化铝（AlN） — 优良的导热性和绝缘性；
✅氮化硅（Si3N4） — 超高的断裂韧性和低的热膨胀系数；
✅碳化硅（碳化硅)— 密度和热膨胀系数低。
根据您的需求，我们为您推荐最佳材料，为您打造超高精度半导体陶瓷元器件！
保证制造和运输时间
GORGEOUS与多家国际领先的物流公司合作，为您快速生产，并将产品准时完好地送达您手中！
陶瓷的制作和运输受工艺流程和您所在位置的影响。我们将根据您的计划快速为您制作，并选择最佳的运输方式。 北美最快空运，7天到达。
我们合作的物流公司有：
- MSC（地中海航运公司）
- 马士基
- 达飞海运集团
- 中远集团
- 赫伯罗特
- DHL
- UPS
- 联邦快递
- TNT
我们与多家货运代理商合作，以保证您以较低的价格获得高效的运输选择， 准时交货， 和 没有隐藏费用！
制造业
包装
加载中
运输
半导体陶瓷的主要特性
高硬度
耐磨
耐腐蚀
耐高温
强绝缘
华丽的可定制产品精度参考
| 加工技术 | 范围 | 可实现的精度 |
| 铣削 | 平面度、平行度、Ra | Ra≥0.05μm” 平整度＜1μm |
| 研磨 | 平整度 | 5 微米 < 直径 200 毫米 / 10 微米 > 直径 200 毫米 |
| 粗糙度 | Ra 从 0.15 μm 到 0.6 μm | |
| 并行性 | 5 微米 < 直径 200 毫米 / 10 微米 > 直径 200 毫米 | |
| 侵蚀 | 对称 | 最大0.05mm（孔/定位槽） |
| 抛光 | 平面度、平行度、粗糙度 | Ra0.06μm-0.35μm 平整度＜2μm 平行度＜2μm |
| 结构化 | 粗糙度 | 粗糙度<3.2μm 尺寸<150μm |
*具体精度需根据实际产品材质、形状、工艺要求确定。
半导体陶瓷选配工艺
| 产品类型 | 特殊要求 |
| 陶瓷基板 | 抛光、金属化涂层、镀金 |
| 陶瓷臂 | 镜面抛光、通风槽、防静电涂层 |
| 陶瓷环/垫圈 | 喷砂、特氟龙喷涂、表面涂层 |
| 陶瓷管 | 内壁抛光、热等静压、表面涂层 |
| 陶瓷吸盘 | 微孔加工、盲孔加工、吸附通气孔设计 |
| 陶瓷加热元件 | 金属化涂层、表面釉质、抗静电涂层 |
定制半导体陶瓷材料参数及选择
| 物品 | 单元 | 氮化硅 |
| 密度 | 克/厘米3 | ＞3.2 |
| 硬度 | – | HRA90 |
| 维氏硬度（Hv50） | HV0.5 | ＞1550 |
| 弹性模量 | 千兆帕 | 290 |
| 抗弯强度 | 兆帕 | ＞600 |
| 抗压强度 | 兆帕 | 2500 |
| 断裂韧性 | 兆帕姆1/2 | ＞6.0 |
| 最高使用温度 | ℃ | 1200 |
| 热导率 | 宽/（米·克） | 15-20 |
| 热膨胀系数 | 10-6 /℃ | ＞3.1 |
| 抗热震性 | △T℃ | 500 |
| 比热容 | 千焦/千克·开尔文 | 700 |
| 介电强度 | 千伏/毫米 | 1 |
| 介电常数 | εr | – |
| 20℃体积电阻率 | Ω.cm | 1.0×1012 |
| 物品 | 单元 | 无压烧结碳化硅 | 反应烧结碳化硅 | 重结晶烧结碳化硅 |
| 最高工作温度 | ℃ | 1600 | 1380 | 1650 |
| 密度 | 克/厘米3 | ＞3.1 | ＞3.02 | ＞2.6 |
| 孔隙度 | % | ＜0.1 | ＜0.1 | 15% |
| 弯曲强度 | 兆帕 | ＞400 | 250（20℃） | 90-100（20℃） |
| 兆帕 | – | 280（1200℃） | 100-120（1100℃） | |
| 弹性模量 | 千兆帕 | 420 | 330（20℃） | 240 |
| 千兆帕 | – | 300（1200℃） | – | |
| 热导率 | 瓦/立方厘米 | 74 | 45(1200℃) | 24 |
| 热膨胀系数 | 钾-1×10-6 | 4.1 | 4.5 | 4.8 |
| 维氏硬度 | 千兆帕 | 22 | 20 | – |
| 耐酸碱性 | – | 出色的 | 出色的 | 出色的 |
| 财产 | 单元 | 铝2哦3 99.7 | 铝2哦3 99.5 | 铝2哦3 99 | 铝2哦3 95 |
| 纯度 | — | 99.7% | 99.5% | 99% | 95% |
| 密度 | 克/厘米3 | 3.92 | 3.9 | 3.8 | 3.7 |
| 弯曲强度 | 兆帕 | 375 | 370 | 340 | 304 |
| 抗压强度 | 兆帕 | 2450 | 2300 | 2250 | 1910 |
| 弹性模量 | 千兆帕 | 380 | 370 | 330 | 330 |
| 断裂韧性 | 兆帕姆1/2 | 4.5 | 4.3 | 4.2 | 3.8 |
| 硬度 | 人力资源管理局 | 91 | 91 | 90 | 89 |
| 维氏硬度 | HV1 | 1600 | 1550 | 1450 | 1400 |
| 热膨胀系数 | 10- 6 钾-1 | 7.8 | 7.8 | 7.7 | 7.5 |
| 热导率 | 瓦/立方厘米 | 32 | 32 | 25 | 25 |
| 热冲击稳定性 | △T.℃ | 220 | 220 | 200 | 200 |
| 最高工作温度 | ℃ | 1750 | 1750 | 1700 | 1500 |
| 20℃体积电阻 | Ω·厘米 | 1015 | 1015 | 1014 | 1014 |
| 介电强度 | 千伏/毫米 | 22 | 20 | 16 | 15 |
| 介电常数（室温） | / | 10 | 11 | 11.5 | 11 |
| MHz 介电损耗因数 | tanδ | 1×10-3 | 1×10-3 | 3×10-3 | 3×10-3 |
| 物品 | 单元 | 氮化铝 |
| 密度 | 克/厘米3 | 3.31 |
| 弹性模量 | 千兆帕 | 310 |
| 断裂韧性 | 兆帕×米1/2 | 3.5 |
| 泊松比 | – | 0.25 |
| 压缩 | 兆帕 | 2100 |
| 抗弯强度 | 兆帕 | 335 |
| 硬度（维氏） | 千兆帕 | 11 |
| 硬度（努氏100克） | 千克/毫米2 | 1170 |
可定制陶瓷轴端类型参考
氧化铝材料制品
❇️晶圆抛光盘：高硬度和耐磨性保证了晶圆抛光的高精度和长寿命。
❇️末端执行器/晶圆处理：优异的机械强度和化学稳定性，适用于高洁净度环境下的晶圆处理。
❇️金属化产品：导电性、耐高温性能优良，适用于大功率电子设备。
❇️腔环/溅射靶：高纯度和耐腐蚀性保证了薄膜沉积过程的稳定性和一致性。
碳化硅材料制品
❇️晶圆抛光盘：极高的硬度和导热性，适用于高效、高精度的晶圆抛光。
❇️静电吸盘：优异的导热性和电绝缘性，保证晶圆在高温下稳定吸附。
❇️真空吸盘：强度高、耐热性好，适合高真空环境下晶圆固定。
❇️末端执行器/晶圆处理：重量轻且高刚性，适用于高速、高精度晶圆处理。
❇️腔环：优异的耐高温和耐腐蚀性能，适用于恶劣的半导体工艺环境。
半导体陶瓷有哪些用途？
陶瓷机械臂/陶瓷端部处理器
陶瓷臂在半导体设备中起着传送、承载的作用，相当于半导体设备机器人的手臂，主要负责将晶圆、硅片运送到指定位置。
半导体陶瓷加热器
半导体加热器具有优良的导热性、耐高温性和电绝缘性，升温迅速、均匀，广泛应用于半导体制造、光电设备等场景。
真空晶圆陶瓷吸盘
真空晶圆吸盘是精密加工和半导体制造的重要装置，用于固定和搬运硅片或其他薄片材料。它利用真空吸附的原理，确保晶圆在加工、测试或清洁过程中保持稳定，不会移动。
半导体设备零件
许多半导体器件都采用了先进的陶瓷制品，如陶瓷绝缘盘、陶瓷绝缘环、热敏电阻、气敏陶瓷、光敏陶瓷等。
一站式半导体陶瓷制造服务
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你们的产品使用寿命是多长？
我们的半导体陶瓷产品具有优异的耐久性，能在高温、高压及腐蚀性环境下长期稳定工作，降低您的更换成本。
如何选择材料？
根据不同的应用场景，我们建议您选择合适的材质：
- 氮化铝（AlN）：具有优异的热导率（>170 W/m·K）和电绝缘性，适用于大功率半导体器件。
- 氧化铝（Al₂O₃）：具有良好的机械强度和耐腐蚀性，广泛应用于常规电子元件。
- 氮化硅（Si₃N₄）：兼具高温稳定性和抗冲击性，特别适合用作恶劣环境下的关键部件。
您的定制能力
我们支持各种规格、复杂结构的定制，无论是微米级的精密加工，还是异形零件的制造，我们都能满足您的要求。
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