Halbleiterkeramik
Von der Waferverarbeitung, Vakuumadsorption und Präzisionsmontage bis hin zu Hochtemperaturprozessen bietet GORGEOUS seinen Kunden maßgeschneiderte Halbleiterkeramiklösungen aus einer Hand.
Präzisionskeramik-Strukturteile
Pan-Halbleiterindustrie
Halbleiterkeramik Beschreibung
Hochleistungskeramik ist ein wichtiger Bestandteil der Halbleiterfertigungsanlagen. Bei der Halbleiterherstellung entsteht viel Plasma. Daher ist die Verwendung plasmaresistenter Materialien als Gerätekomponenten entscheidend. Im Vergleich zu Metallen, Harzen und Glas sind Hochleistungskeramiken leistungsfähiger und zuverlässiger. Ihr spezifischer Widerstand liegt üblicherweise zwischen Leitern und Isolatoren, und ihre elektrische Isolierung ist hervorragend, was sie für die Halbleiterherstellung besonders geeignet macht.
Bei uns erhalten Sie alle benötigten keramischen Werkstoffe:
✅Aluminiumoxid (Al2O3) — Ultrahohe Reinheit und Steifigkeit;
✅Aluminiumnitrid (AlN) — Hervorragende Wärmeleitfähigkeit und Isolierung;
✅Siliziumnitrid (Si3N4) — Ultrahohe Bruchzähigkeit und niedriger Wärmeausdehnungskoeffizient;
✅Siliziumkarbid (SiSiC)— Geringe Dichte und niedriger Wärmeausdehnungskoeffizient.
Basierend auf Ihren Anforderungen können wir Ihnen das beste Material empfehlen, um für Sie hochpräzise Halbleiterkeramikkomponenten herzustellen!
Garantierte Herstellungs- und Versandzeit
Um schnell für Sie zu produzieren und Ihnen die Produkte pünktlich und unbeschädigt zu liefern, arbeitet GORGEOUS mit mehreren führenden internationalen Logistikunternehmen zusammen!
Die Herstellung und der Transport von Keramik hängen vom Prozess und Ihrem Standort ab. Wir fertigen für Sie schnell und planmäßig und wählen die optimale Transportmethode. Schnellste Luftlieferung in Nordamerika, Ankunft in 7 Tagen.
Zu den Logistikunternehmen, mit denen wir zusammenarbeiten, zählen unter anderem:
- MSC (Mediterranean Shipping Company)
- Maersk
- CMA CGM
- COSCO
- Hapag-Lloyd
- DHL
- USV
- FedEx
- TNT
Wir arbeiten mit mehreren Spediteuren zusammen, um Ihnen effiziente Versandoptionen zu niedrigeren Preisen zu garantieren. pünktliche Lieferung, Und keine versteckten Gebühren!
Herstellung
Verpackung
Laden
Transport
Haupteigenschaften von Halbleiterkeramiken
Hohe Härte
Verschleißfest
Korrosionsbeständig
Hohe Temperaturbeständigkeit
Starke Isolierung
HERRLICHE Anpassbare Produktgenauigkeitsreferenz
| Verarbeitungstechnologie | Parameter | Erreichbare Genauigkeit |
| Mahlen | Ebenheit, Parallelität, Ra | Ra≥0,05 μm” Ebenheit <1 μm |
| Schleifen | Ebenheit | 5 μm < Ø 200 mm / 10 μm > Ø 200 mm |
| Rauheit | Ra von 0,15 μm bis 0,6 μm | |
| Parallelität | 5 μm < Ø 200 mm / 10 μm > Ø 200 mm | |
| Erodieren | Symmetrisch | Max. 0,05mm (Bohrung/Positionierungsschlitz) |
| Polieren | Ebenheit, Parallelität, Rauheit | Ra0,06μm-0,35μm Ebenheit <2 μm Parallelität <2 μm |
| Strukturierung | Rauheit | Rauheit < 3,2 μm Größe < 150 μm |
*Die spezifische Genauigkeit muss entsprechend dem tatsächlichen Produktmaterial, der Form und den Prozessanforderungen bestimmt werden.
Optionaler Prozess für Halbleiterkeramik
| Produkttyp | Sonderwünsche |
| Keramiksubstrat | Polieren, Metallisieren, Vergolden |
| Keramikarm | Hochglanzpoliert, Lüftungsschlitze, antistatische Beschichtung |
| Keramikringe/Dichtungen | Sandstrahlen, Teflonbeschichtung, Oberflächenbeschichtung |
| Keramikrohr | Innenwandpolitur, Heißisostatisches Pressen, Oberflächenbeschichtung |
| Keramik-Saugnapf | Mikrolochverarbeitung, Sacklochverarbeitung, Adsorptionslüftungsdesign |
| Keramisches Heizelement | Metallisierte Beschichtung, Oberflächenglasur, antistatische Beschichtung |
Kundenspezifische Parameter und Auswahl von Halbleiterkeramikmaterialien
| Artikel | Einheit | Siliziumnitrid |
| Dichte | g/cm3 | ＞3.2 |
| Härte | – | HRA90 |
| Vickershärte (Hv50) | HV0.5 | ＞1550 |
| Elastizitätsmodul | Notendurchschnitt | 290 |
| Biegefestigkeit | MPa | ＞600 |
| Druckfestigkeit | MPa | 2500 |
| Bruchzähigkeit | MPam1/2 | ＞6,0 |
| Maximale Gebrauchstemperatur | ℃ | 1200 |
| Wärmeleitfähigkeit | W /（M·K） | 15-20 |
| Wärmeausdehnungskoeffizient | 10-6 /℃ | ＞3.1 |
| Thermoschockbeständigkeit | △T℃ | 500 |
| Spezifische Wärmekapazität | KJ/kg·K | 700 |
| Durchschlagsfestigkeit | KV/mm | 1 |
| Dielektrizitätskonstante | εr | – |
| Volumenwiderstand bei 20 °C | Ω.cm | 1,0 × 1012 |
| Artikel | Einheit | Drucklos gesintertes Siliziumkarbid | Reaktionsgebundenes Siliziumkarbid | Rekristallisiertes gesintertes Siliziumkarbid |
| Maximale Betriebstemperatur | ℃ | 1600 | 1380 | 1650 |
| Dichte | g/cm3 | ＞3.1 | ＞3,02 | ＞2,6 |
| Porosität | % | ＜0,1 | ＜0,1 | 15% |
| Biegefestigkeit | MPa | ＞400 | 250 (20 °C) | 90-100 (20 °C) |
| MPa | – | 280 (1200 °C) | 100-120 (1100 °C) | |
| Elastizitätsmodul | Notendurchschnitt | 420 | 330 (20 °C) | 240 |
| Notendurchschnitt | – | 300 (1200 °C) | – | |
| Wärmeleitfähigkeit | W/mk | 74 | 45 (1200℃) | 24 |
| Wärmeausdehnungskoeffizient | K-1×10-6 | 4.1 | 4.5 | 4.8 |
| Vickershärte | Notendurchschnitt | 22 | 20 | – |
| Säure- und Laugenbeständigkeit | – | exzellent | exzellent | exzellent |
| Eigentum | Einheit | AL2O3 99.7 | AL2O3 99.5 | AL2O3 99 | AL2O3 95 |
| Reinheit | — | 99.7% | 99.5% | 99% | 95% |
| Dichte | g/cm3 | 3.92 | 3.9 | 3.8 | 3.7 |
| Biegefestigkeit | MPa | 375 | 370 | 340 | 304 |
| Druckfestigkeit | MPa | 2450 | 2300 | 2250 | 1910 |
| Elastizitätsmodul | Notendurchschnitt | 380 | 370 | 330 | 330 |
| Bruchzähigkeit | MPam1/2 | 4.5 | 4.3 | 4.2 | 3.8 |
| Härte | HRA | 91 | 91 | 90 | 89 |
| Vickershärte | HV1 | 1600 | 1550 | 1450 | 1400 |
| Wärmeausdehnungskoeffizient | 10- 6 K-1 | 7.8 | 7.8 | 7.7 | 7.5 |
| Wärmeleitfähigkeit | W/mk | 32 | 32 | 25 | 25 |
| Thermoschockstabilität | △T.℃ | 220 | 220 | 200 | 200 |
| Maximale Betriebstemperatur | ℃ | 1750 | 1750 | 1700 | 1500 |
| Volumenwiderstand bei 20℃ | Ω·cm | 1015 | 1015 | 1014 | 1014 |
| Durchschlagsfestigkeit | KV/mm | 22 | 20 | 16 | 15 |
| Dielektrizitätskonstante (Raumtemperatur) | / | 10 | 11 | 11.5 | 11 |
| MHz Dielektrischer Verlustfaktor | tan δ | 1×10-3 | 1×10-3 | 3×10-3 | 3×10-3 |
| Artikel | Einheit | Aluminiumnitrid |
| Dichte | g/cm3 | 3.31 |
| Elastizitätsmodul | Notendurchschnitt | 310 |
| Bruchzähigkeit | MPa × m1/2 | 3.5 |
| Poissonzahl | – | 0.25 |
| Komprimierend | MPa | 2100 |
| Biegefestigkeit | MPa | 335 |
| Härte (Vickers) | Notendurchschnitt | 11 |
| Härte (Knoop 100g) | kg/mm2 | 1170 |
Anpassbare Keramikwellenende Typ Referenz
Produkte aus Aluminiumoxidmaterial
❇️Wafer-Polierplatten:Hohe Härte und Verschleißfestigkeit gewährleisten hohe Präzision und lange Lebensdauer beim Polieren der Wafer.
❇️Endeffektoren / Wafer-Handling:Hervorragende mechanische Festigkeit und chemische Stabilität, geeignet für die Handhabung von Wafern in Umgebungen mit hohen Reinheitsanforderungen.
❇️Metallisierte Produkte:Gute elektrische Leitfähigkeit und hohe Temperaturbeständigkeit, geeignet für elektronische Geräte mit hoher Leistung.
❇️Kammerringe / Sputtertargets:Hohe Reinheit und Korrosionsbeständigkeit gewährleisten die Stabilität und Konsistenz des Dünnschichtabscheidungsprozesses.
Siliziumkarbid-Materialprodukte
❇️Wafer-Polierplatten:Extrem hohe Härte und Wärmeleitfähigkeit, geeignet für effizientes und hochpräzises Waferpolieren.
❇️Elektrostatische Spannfutter:Hervorragende Wärmeleitfähigkeit und elektrische Isolierung gewährleisten eine stabile Adsorption der Wafer bei hohen Temperaturen.
❇️Vakuumspannfutter:Hohe Festigkeit und Hitzebeständigkeit, geeignet zur Waferfixierung in Hochvakuum-Umgebungen.
❇️Endeffektoren / Wafer-Handling:Leicht und hochsteif, geeignet für die schnelle und hochpräzise Waferhandhabung.
❇️Kammerringe:Hervorragende Beständigkeit gegen hohe Temperaturen und Korrosion, geeignet für raue Halbleiterprozessumgebungen.
Wofür wird Halbleiterkeramik verwendet?
Keramik-Roboterarm/Keramik-Endprozessor
Der Keramikarm übernimmt die Transport- und Tragefunktion in Halbleiteranlagen und entspricht dem Roboterarm einer Halbleiteranlage. Er ist hauptsächlich für den Transport von Wafern und Siliziumchips an die vorgesehenen Standorte zuständig.
Halbleiter-Keramikheizung
Halbleiterheizungen zeichnen sich durch eine hervorragende Wärmeleitfähigkeit, hohe Temperaturbeständigkeit und elektrische Isolierung aus. Sie können sich schnell und gleichmäßig erwärmen und werden häufig in der Halbleiterherstellung, in optoelektronischen Geräten und anderen Bereichen eingesetzt.
Vakuum-Wafer-Keramik-Chuck
Vakuum-Wafer-Chucks sind ein wichtiges Gerät für die Präzisionsbearbeitung und Halbleiterherstellung. Sie dienen der Fixierung und Handhabung von Silizium-Wafern oder anderen dünnen Materialien. Sie nutzen das Prinzip der Vakuumadsorption, um sicherzustellen, dass der Wafer stabil ist und sich während der Verarbeitung, Prüfung oder Reinigung nicht bewegt.
Teile für Halbleiterausrüstung
In vielen Halbleiterbauelementen werden hochentwickelte Keramikprodukte verwendet, beispielsweise keramische Isolierscheiben, keramische Isolierringe, Thermistoren, gasempfindliche Keramik, lichtempfindliche Keramik usw.
Halbleiterkeramik-Fertigungsservice aus einer Hand
15+ Langjährige Erfahrung. Hohe Präzision und OEM-Design. Professionelles Forschungs- und Entwicklungsteam. Wettbewerbsfähiger Preis.
Unsere Passerfolge Referenzen
Wie hoch ist die Lebensdauer Ihrer Produkte?
Unsere Halbleiterkeramikprodukte weisen eine ausgezeichnete Haltbarkeit auf und können in Umgebungen mit hohen Temperaturen, hohem Druck und Korrosion lange Zeit stabil arbeiten, wodurch Ihre Ersatzteilkosten gesenkt werden.
Wie wählt man Materialien aus?
Je nach Anwendungsszenario empfehlen wir Ihnen, das richtige Material auszuwählen:
- Aluminiumnitrid (AlN): Es verfügt über eine ausgezeichnete Wärmeleitfähigkeit (>170 W/m·K) und elektrische Isolierung und eignet sich für Hochleistungshalbleiterbauelemente.
- Aluminiumoxid (Al₂O₃): Es verfügt über eine gute mechanische Festigkeit und Korrosionsbeständigkeit und wird häufig in herkömmlichen elektronischen Bauteilen verwendet.
- Siliziumnitrid (Si₃N₄): Es verfügt über eine hohe Temperaturstabilität und Schlagfestigkeit und eignet sich besonders für Schlüsselkomponenten in rauen Umgebungen.
Ihre Anpassungsmöglichkeiten
Wir unterstützen die Anpassung verschiedener Spezifikationen und komplexer Strukturen. Ob Präzisionsbearbeitung im Mikrometerbereich oder die Herstellung speziell geformter Teile – wir erfüllen Ihre Anforderungen.
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