Lieferant von Aluminiumnitrid (AlN)-Substraten – maßgeschneiderte, beste Lösung
Aluminiumnitrid (ALN)-Substrat ist ein Keramiksubstrat mit hervorragenden thermischen und elektrischen Eigenschaften, hoher Biegefestigkeit (450) und ausgezeichneter Wärmeleitfähigkeit (170 W/mK). In elektronischen Geräten mit ultrahoher Leistung ist es für Kunden eine ideale Wahl zur Wärmeableitung, da es die Stabilität elektronischer Geräte während des Betriebs gewährleistet und die Auswirkungen thermischer Belastungen auf Komponenten effektiv reduziert.
GORGEOUS entwickelt Aluminiumnitridsubstrate speziell für Leistungshalbleiterkomponenten und bietet individuelle Lösungen zur Wärmeableitung.
Aluminiumnitrid (AlN) - Erfahren Sie mehr über dieses Material
Hauptvorteile von ALN-Substraten
Technische Werte und Parameter des Aluminiumnitridsubstrats
Physikalische Eigenschaften |
Elektrische Eigenschaften |
Dichte: ≥ 3,34 g/cm3 |
Dielektrizitätskonstante bei 1 MHz: +/- 8,5 |
Ra-Wert: ≤ 0,4 µm |
Dielektrischer Verlustfaktor bei 1 MHz: ≤1 (10-3 ) |
Farbe: Grau/Hellbraun |
Volumenwiderstand bei 20℃: ≥1014 Ω cm |
Maximale Temperatur: ≥1000℃ (Inertgas) |
Durchschlagsfestigkeit: ≥15 kV/mm |
Mechanische Eigenschaften |
Geometrie - Masterplatten |
Biegefestigkeit DR sigma 0 (3-Punkt-Methode): ≥450 MPa |
Standardgröße: 190 mm × 140 mm (7,5″ × 5,5″), Toleranz ±1,0% |
Bruchzähigkeit (IF-Methode): ≥3,0 MPa*√m |
Dickenbereich: 0,38 mm bis 1,50 mm, Toleranz ±10% |
Elastizitätsmodul: ≥ 300 GPa |
Verzug/Wölbung: 0,2% bis 0,6% |
Thermische Eigenschaften |
Geometrie - Lasersubstrat |
WAK: 100–800 °C: ± 4,8–6,2 10-6 /K |
Standarddicke: 0,635 mm (0,025″) |
Wärmeleitfähigkeit (25℃): ≥170 W/(m·K) |
Längen- und Breitentoleranz: +0,20 mm / -0,05 mm (+0,0079″ / -0,002″) |
Spezifische Wärmekapazität (25°C): 0,72 J/gK |
Anwendungsgebiete von AlN-Substraten
- Keramisches Wärmeableitungssubstrat für IGBT-Module
- Laserdioden-Gehäusesubstrat (LD-Submount)
- Hochfrequenz-Kommunikationsmodul (z. B. 5G-Leistungsverstärkermodul)
- Kühlkörper für die LED-Chip-Verpackung
- Gehäusesubstrat für Leistungshalbleiterbauelemente (MOSFET, SiC, GaN-Bauelemente)
- Wärmeableitungsschicht für Radarkomponenten in der Luft- und Raumfahrt
- Wärmeableitungsbasis für Wechselrichtermodule von Elektrofahrzeugen
- Mikrowellen-/Millimeterwellen-Schaltungssubstrat (MMIC)
- Hochleistungs-Schaltungssubstrat in medizinischen Bildgebungsgeräten
- Hochfrequenz-Leistungsmodulsubstrat in industriellen Automatisierungssteuerungssystemen
- Optokoppler-Verpackungssubstrat
- Substrat des HF-Leistungsverstärkermoduls
Verarbeitungsdienste
- Metallisierungsverarbeitung (Dünnschicht, Dickschicht, DBC, AMB, DPC usw.)
- Bearbeitung
- Aluminiumnitrid-Sputtertargets
- Polieren/Schleifen
Besonderheit | Sputtertargets | Substrat |
---|---|---|
Materialtyp | Aluminiumnitrid (AlN) | Hochreines Aluminiumnitrid (AlN) |
Symbol | AlN | AlN |
Reinheit | 99.5% oder internationale Standards | 99%, 99.99% oder internationale Standards |
Formen | Scheiben, Platten, Stufen (Durchmesser 355 mm, Dicke 0,5 mm) | Scheiben, Rechtecke, Stufen, Platten, Bleche, Stäbe |
Benutzerdefinierte Formen und Größen | Verfügbar für Angebote | Verfügbar für Angebote |
Maße | Durchmesser (355 mm), Dicke (0,5 mm), Sonderanfertigung | Mass angefertigt |
Zusätzliche Hinweise:
- Sowohl Sputtertargets als auch Substrate bestehen aus hochwertigem Aluminiumnitrid.
- Die Reinheitsgrade können individuell angepasst werden, um spezifische Anforderungen zu erfüllen.
- Es stehen verschiedene Formen und Größen zur Verfügung, einschließlich benutzerdefinierter Optionen.