Aluminiumnitridsubstrat

Produktdokumente


Lieferant von Aluminiumnitrid (AlN)-Substraten – maßgeschneiderte, beste Lösung

Aluminiumnitrid (ALN)-Substrat ist ein Keramiksubstrat mit hervorragenden thermischen und elektrischen Eigenschaften, hoher Biegefestigkeit (450) und ausgezeichneter Wärmeleitfähigkeit (170 W/mK). In elektronischen Geräten mit ultrahoher Leistung ist es für Kunden eine ideale Wahl zur Wärmeableitung, da es die Stabilität elektronischer Geräte während des Betriebs gewährleistet und die Auswirkungen thermischer Belastungen auf Komponenten effektiv reduziert.

GORGEOUS entwickelt Aluminiumnitridsubstrate speziell für Leistungshalbleiterkomponenten und bietet individuelle Lösungen zur Wärmeableitung.

Hochwertiges Aluminiumnitridsubstrat, speziell für die Wärmeableitung von Hochleistungselektronikgeräten verwendet

Aluminiumnitrid (AlN) - Erfahren Sie mehr über dieses Material


Hauptvorteile von ALN-Substraten

Welche Vorteile bietet das Aluminiumnitridsubstrat von GORGEOUS?

 


Aluminiumnitrid-AlN-Substrat ist eine ideale Wahl für die Wärmeableitung verschiedener elektronischer Hochleistungskomponenten

Technische Werte und Parameter des Aluminiumnitridsubstrats

Physikalische Eigenschaften

Elektrische Eigenschaften

Dichte: ≥ 3,34 g/cm3

Dielektrizitätskonstante bei 1 MHz: +/- 8,5

Ra-Wert: ≤ 0,4 µm

Dielektrischer Verlustfaktor bei 1 MHz: ≤1 (10-3   )

Farbe: Grau/Hellbraun

Volumenwiderstand bei 20: ≥1014    Ω cm

Maximale Temperatur: ≥1000 (Inertgas)

Durchschlagsfestigkeit: ≥15 kV/mm

Mechanische Eigenschaften

Geometrie - Masterplatten

Biegefestigkeit DR sigma 0 (3-Punkt-Methode): ≥450 MPa

Standardgröße: 190 mm × 140 mm (7,5″ × 5,5″), Toleranz ±1,0%

Bruchzähigkeit (IF-Methode): ≥3,0 MPa*√m

Dickenbereich: 0,38 mm bis 1,50 mm, Toleranz ±10%

Elastizitätsmodul: ≥ 300 GPa

Verzug/Wölbung: 0,2% bis 0,6%

Thermische Eigenschaften

Geometrie - Lasersubstrat

WAK: 100–800 °C: ± 4,8–6,2 10-6   /K

Standarddicke: 0,635 mm (0,025″)

Wärmeleitfähigkeit (25): 170 W/(m·K)

Längen- und Breitentoleranz: +0,20 mm / -0,05 mm (+0,0079″ / -0,002″)

Spezifische Wärmekapazität (25°C): 0,72 J/gK

 


Anwendungsgebiete von AlN-Substraten

  • Keramisches Wärmeableitungssubstrat für IGBT-Module
  • Laserdioden-Gehäusesubstrat (LD-Submount)
  • Hochfrequenz-Kommunikationsmodul (z. B. 5G-Leistungsverstärkermodul)
  • Kühlkörper für die LED-Chip-Verpackung
  • Gehäusesubstrat für Leistungshalbleiterbauelemente (MOSFET, SiC, GaN-Bauelemente)
  • Wärmeableitungsschicht für Radarkomponenten in der Luft- und Raumfahrt
  • Wärmeableitungsbasis für Wechselrichtermodule von Elektrofahrzeugen
  • Mikrowellen-/Millimeterwellen-Schaltungssubstrat (MMIC)
  • Hochleistungs-Schaltungssubstrat in medizinischen Bildgebungsgeräten
  • Hochfrequenz-Leistungsmodulsubstrat in industriellen Automatisierungssteuerungssystemen
  • Optokoppler-Verpackungssubstrat
  • Substrat des HF-Leistungsverstärkermoduls

 


GORGEOUS kann für Kunden hochwertige Aluminiumnitridsubstrate verarbeiten

Verarbeitungsdienste

  • Metallisierungsverarbeitung (Dünnschicht, Dickschicht, DBC, AMB, DPC usw.)
  • Bearbeitung
  • Aluminiumnitrid-Sputtertargets
  • Polieren/Schleifen
Besonderheit Sputtertargets Substrat
Materialtyp Aluminiumnitrid (AlN) Hochreines Aluminiumnitrid (AlN)
Symbol AlN AlN
Reinheit 99.5% oder internationale Standards 99%, 99.99% oder internationale Standards
Formen Scheiben, Platten, Stufen (Durchmesser 355 mm, Dicke 0,5 mm) Scheiben, Rechtecke, Stufen, Platten, Bleche, Stäbe
Benutzerdefinierte Formen und Größen Verfügbar für Angebote Verfügbar für Angebote
Maße Durchmesser (355 mm), Dicke (0,5 mm), Sonderanfertigung Mass angefertigt

Zusätzliche Hinweise:

  • Sowohl Sputtertargets als auch Substrate bestehen aus hochwertigem Aluminiumnitrid.
  • Die Reinheitsgrade können individuell angepasst werden, um spezifische Anforderungen zu erfüllen.
  • Es stehen verschiedene Formen und Größen zur Verfügung, einschließlich benutzerdefinierter Optionen.