Proveedor de sustratos de nitruro de aluminio (AlN): la mejor solución personalizada
Sustrato de nitruro de aluminio (ALN) Es un sustrato cerámico con excelentes propiedades térmicas y eléctricas, alta resistencia a la flexión (450) y excelente conductividad térmica (170 W/mK). En dispositivos electrónicos de ultraalta potencia, es una opción ideal para la disipación de calor, ya que garantiza la estabilidad de los dispositivos electrónicos durante su funcionamiento y reduce eficazmente el impacto de la tensión térmica en los componentes.
GORGEOUS diseña sustratos de nitruro de aluminio específicamente para componentes semiconductores de potencia, personalizando y proporcionando las mejores soluciones de disipación de calor.
Nitruro de aluminio (AlN) - Conozca más sobre este material
Ventajas clave de los sustratos ALN
Valores técnicos y parámetros del sustrato de nitruro de aluminio
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Propiedades físicas |
Propiedades eléctricas |
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Densidad: ≥ 3,34 g/cm3 |
Constante dieléctrica a 1 MHz: +/- 8,5 |
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Valor Ra: ≤ 0,4 µm |
Factor de pérdida dieléctrica a 1 MHz: ≤1 (10-3 ) |
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Color: Gris/Marrón claro |
Resistividad volumétrica a 20°C: ≥1014 Ω cm |
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Temperatura máxima: ≥1000°C (gas inerte) |
Rigidez dieléctrica: ≥15 kV/mm |
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Propiedades mecánicas |
Geometría - Placas maestras |
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Resistencia a la flexión DR sigma 0 (método de 3 puntos): ≥450 MPa |
Tamaño estándar: 190 mm × 140 mm (7,5″ × 5,5″), tolerancia ±1,0% |
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Tenacidad a la fractura (método IF): ≥3,0 MPa*√m |
Rango de espesor: 0,38 mm a 1,50 mm, tolerancia ±10% |
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Módulo de Young: ≥ 300 GPa |
Alabeo/comba: 0,2% a 0,6% |
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Propiedades térmicas |
Geometría - Sustrato láser |
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CET: 100-800°C: ± 4,8 - 6,2 10-6 /K |
Espesor estándar: 0,635 mm (0,025″) |
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Conductividad térmica (25°C): ≥170 W/(m·K) |
Tolerancia de largo y ancho: +0,20 mm / -0,05 mm (+0,0079″ / -0,002″) |
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Capacidad calorífica específica (25 °C): 0,72 J/gK |
Campos de aplicación del sustrato de AlN
- Sustrato de disipación de calor cerámico del módulo IGBT
- Sustrato de empaquetado de diodo láser (LD Submount)
- Módulo de comunicación de alta frecuencia (como el módulo amplificador de potencia 5G)
- Disipador de calor del empaque del chip LED
- Sustrato de empaquetado de dispositivos semiconductores de potencia (MOSFET, SiC, GaN)
- Capa de disipación de calor del componente de radar aeroespacial
- Base de disipación de calor del módulo inversor del vehículo eléctrico
- Sustrato de circuito de microondas/ondas milimétricas (MMIC)
- Sustrato de circuito de alto rendimiento en equipos de imágenes médicas
- Sustrato de módulo de potencia de alta frecuencia en sistemas de control de automatización industrial
- Sustrato de empaquetado de optoacopladores
- Sustrato del módulo amplificador de potencia de RF
Servicios de procesamiento
- Procesamiento de metalización (película fina, película gruesa, DBC, AMB, DPC, etc.)
- Mecanizado
- Blancos de pulverización catódica de nitruro de aluminio
- Pulido/rectificado
| Característica | objetivos de pulverización catódica | Sustrato |
|---|---|---|
| Tipo de material | Nitruro de aluminio (AlN) | Nitruro de aluminio de alta pureza (AlN) |
| Símbolo | AlN | AlN |
| Pureza | 99.5% o Normas Internacionales | 99%, 99.99% o estándares internacionales |
| Formas | Discos, placas, escalones (diámetro 355 mm, espesor 0,5 mm) | Discos, rectángulos, escalones, placas, láminas, varillas |
| Formas y tamaños personalizados | Disponible para cotización | Disponible para cotización |
| Dimensiones | Diámetro (355 mm), Grosor (0,5 mm), Hecho a medida | Por encargo |
Notas adicionales:
- Tanto los objetivos como los sustratos de pulverización catódica están hechos de nitruro de aluminio de alta calidad.
- Los niveles de pureza se pueden personalizar para satisfacer requisitos específicos.
- Hay una variedad de formas y tamaños disponibles, Incluyendo opciones personalizadas.
