반도체 세라믹
웨이퍼 가공, 진공 흡착, 정밀 조립부터 고온 공정까지 GORGEOUS는 고객에게 원스톱 맞춤형 반도체 세라믹 솔루션을 제공합니다.
정밀 세라믹 구조 부품
범반도체 산업
반도체 세라믹 설명
첨단 세라믹은 반도체 제조 장비의 핵심 부분입니다. 반도체 제조 공정에서는 다량의 플라즈마가 발생하므로 장비 부품으로 플라즈마 저항성 소재를 사용하는 것이 매우 중요합니다. 고급 세라믹은 금속, 수지, 유리에 비해 성능이 뛰어나고 신뢰성이 높습니다. 세라믹의 저항률은 일반적으로 도체와 절연체 사이에 있으며, 전기 절연성이 우수하여 반도체 제조 공정에 매우 적합합니다.
우리는 귀하에게 필요한 모든 세라믹 소재를 제공합니다:
✅알루미나(Al2O3) — 초고순도 및 강성;
✅질화알루미늄(AlN) — 우수한 열전도도와 단열성
✅질화규소(Si3N4) — 매우 높은 파괴인성과 낮은 열팽창계수
✅탄화규소(시시씨)— 밀도와 열팽창 계수가 낮습니다.
고객님의 요구 사항에 따라, 초고정밀 반도체 세라믹 부품을 제작하는 데 가장 적합한 소재를 추천해 드립니다!
제조 및 배송 시간 보장
GORGEOUS는 여러 선도적인 국제 물류 회사와 협력하여 귀하를 위해 신속하게 생산하고 제품을 제때에 손상 없이 배송해드립니다!
도자기 제작 및 운송은 공정과 고객님의 위치에 따라 영향을 받습니다. 고객님의 계획에 따라 신속하게 제작해 드리고, 최적의 운송 방법을 선택해 드리겠습니다. 북미에서 가장 빠른 항공편으로 7일 만에 도착합니다.
우리가 협력하는 물류 회사는 다음과 같습니다.
- MSC(지중해 해운 회사)
- 메르스크
- CMA CGM
- 코스코
- 하파그로이드
- DHL
- UPS
- 페덱스
- 티엔티
저희는 여러 화물 운송업체와 협력하여 더 낮은 가격으로 효율적인 배송 옵션을 보장합니다. 정시 배달, 그리고 숨은 비용 없음!
조작
포장
로딩 중
운송
반도체 세라믹의 주요 특성
높은 경도
내마모성
부식 방지
고온 저항성
강력한 단열성
멋진 맞춤형 제품 정확도 참조
| 처리 기술 | 매개변수 | 달성 가능한 정확도 |
| 갈기 | 평탄도, 평행도, Ra | Ra≥0.05 μm” 평탄도 1μm 미만 |
| 연마 | 평탄 | 5μm < Ø 200mm / 10μm > Ø 200mm |
| 거 | Ra 0.15μm ~ 0.6μm | |
| 병행 | 5μm < Ø 200mm / 10μm > Ø 200mm | |
| 침식 | 대칭적인 | 최대 0.05mm(구멍/위치 지정 슬롯) |
| 세련 | 평탄도, 평행도, 거칠기 | 라0.06μm-0.35μm 평탄도 <2μm 평행도<2μm |
| 구조화 | 거 | 거칠기 < 3.2 μm 크기 < 150 μm |
*구체적인 정확도는 실제 제품 소재, 모양 및 공정 요구 사항에 따라 결정되어야 합니다.
반도체 세라믹 선택적 공정
| 제품 유형 | 특별 요청 |
| 세라믹 기판 | 연마, 금속화 코팅, 금도금 |
| 세라믹 암 | 거울 광택, 통풍구, 정전 방지 코팅 |
| 세라믹 링/개스킷 | 샌드블라스팅, 테프론 코팅, 표면 코팅 |
| 세라믹 튜브 | 내벽 연마, 열간 등방성 프레스, 표면 코팅 |
| 세라믹 흡입 컵 | 마이크로 홀 가공, 블라인드 홀 가공, 흡착 벤트 설계 |
| 세라믹 발열체 | 금속화 코팅, 표면 유약, 정전기 방지 코팅 |
맞춤형 반도체 세라믹 소재 매개변수 및 선택
| 목 | 단위 | 질화규소 |
| 밀도 | g/cm3 | 3.2 |
| 경도 | – | HRA90 |
| 비커스 경도(Hv50) | HV0.5 | 1550년 |
| 탄성계수 | 학점 | 290 |
| 굽힘 강도 | 엠파 | 600개 |
| 압축 강도 | 엠파 | 2500 |
| 파괴인성 | 엠팜1/2 | 6.0 |
| 최대 사용 온도 | 섭씨 | 1200 |
| 열전도도 | W /（M·K） | 15-20 |
| 열팽창 계수 | 10-6 /℃ | 3.1 |
| 열충격 저항성 | △T℃ | 500 |
| 비열 | 킬로줄/kg·K | 700 |
| 유전 강도 | 케이볼트/mm | 1 |
| 유전율 | 에르 | – |
| 20℃에서의 체적 저항률 | Ω.cm | 1.0×1012 |
| 목 | 단위 | 무압력 소결 실리콘 카바이드 | 반응 결합 실리콘 카바이드 | 재결정 소결 실리콘 카바이드 |
| 최대 작동 온도 | 섭씨 | 1600 | 1380 | 1650 |
| 밀도 | g/cm3 | 3.1 | 〉3.02 | 2.6 |
| 다공성 | % | <0.1 | <0.1 | 15% |
| 굽힘 강도 | 엠파 | 400개 | 250（20℃） | 90-100（20℃） |
| 엠파 | – | 280（1200℃） | 100-120（1100℃） | |
| 탄성계수 | 학점 | 420 | 330（20℃） | 240 |
| 학점 | – | 300（1200℃） | – | |
| 열전도도 | W/mk | 74 | 45(1200℃) | 24 |
| 열팽창 계수 | 케이-1×10-6 | 4.1 | 4.5 | 4.8 |
| 비커스 경도 | 학점 | 22 | 20 | – |
| 산 및 알칼리 저항성 | – | 훌륭한 | 훌륭한 | 훌륭한 |
| 재산 | 단위 | 알2영형3 99.7 | 알2영형3 99.5 | 알2영형3 99 | 알2영형3 95 |
| 청정 | — | 99.7% | 99.5% | 99% | 95% |
| 밀도 | g/cm3 | 3.92 | 3.9 | 3.8 | 3.7 |
| 굽힘 강도 | 엠파 | 375 | 370 | 340 | 304 |
| 압축 강도 | 엠파 | 2450 | 2300 | 2250 | 1910 |
| 탄성계수 | 학점 | 380 | 370 | 330 | 330 |
| 파괴인성 | 엠팜1/2 | 4.5 | 4.3 | 4.2 | 3.8 |
| 경도 | 인사부 | 91 | 91 | 90 | 89 |
| 비커스 경도 | HV1 | 1600 | 1550 | 1450 | 1400 |
| 열팽창 계수 | 10- 6 케이-1 | 7.8 | 7.8 | 7.7 | 7.5 |
| 열전도도 | W/mk | 32 | 32 | 25 | 25 |
| 열충격 안정성 | △T.℃ | 220 | 220 | 200 | 200 |
| 최대 작동 온도 | 섭씨 | 1750 | 1750 | 1700 | 1500 |
| 20℃에서의 체적 저항 | Ω·cm | 1015 | 1015 | 1014 | 1014 |
| 유전 강도 | 케이볼트/mm | 22 | 20 | 16 | 15 |
| 유전율(실온) | / | 10 | 11 | 11.5 | 11 |
| MHz 유전 손실 계수 | 탄젠트 δ | 1×10-3 | 1×10-3 | 3×10-3 | 3×10-3 |
| 목 | 단위 | 질화알루미늄 |
| 밀도 | g/cm3 | 3.31 |
| 탄성계수 | 학점 | 310 |
| 파괴인성 | MPa × m1/2 | 3.5 |
| 푸아송 비 | – | 0.25 |
| 압축 | 엠파 | 2100 |
| 굽힘 강도 | 엠파 | 335 |
| 경도(비커스) | 학점 | 11 |
| 경도(누프 100g) | 킬로그램/mm2 | 1170 |
사용자 정의 가능한 세라믹 샤프트 끝 유형 참조
알루미나 소재 제품
❇️웨이퍼 연마판：높은 경도와 내마모성으로 웨이퍼 연마의 높은 정밀도와 긴 수명을 보장합니다.
❇️엔드 이펙터 / 웨이퍼 핸들링 :뛰어난 기계적 강도와 화학적 안정성으로, 고청정 환경에서 웨이퍼를 다루는 데 적합합니다.
❇️금속화 제품：전기 전도성이 좋고 내열성이 높아 고전력 전자소자에 적합합니다.
❇️챔버 링 / 스퍼터링 타겟：높은 순도와 내식성은 박막 증착 공정의 안정성과 일관성을 보장합니다.
실리콘 카바이드 소재 제품
❇️웨이퍼 연마판：매우 높은 경도와 열전도도로 효율적이고 고정밀 웨이퍼 연마에 적합합니다.
❇️정전척：뛰어난 열전도성과 전기 절연성으로 고온에서도 웨이퍼의 안정적인 흡착이 보장됩니다.
❇️진공 척：강도와 내열성이 뛰어나 고진공 환경에서 웨이퍼 고정에 적합합니다.
❇️엔드 이펙터 / 웨이퍼 핸들링 :가볍고 강성이 높아 고속, 고정밀 웨이퍼 취급에 적합합니다.
❇️챔버 링：뛰어난 고온 및 내식성으로 혹독한 반도체 공정 환경에 적합합니다.
반도체 세라믹의 용도는 무엇인가?
세라믹 로봇 암/세라믹 엔드 프로세서
세라믹 암은 반도체 장비에서 운반 및 이송 역할을 하며, 반도체 장비 로봇의 암과 같은 역할을 합니다. 주로 웨이퍼와 실리콘 칩을 지정된 위치로 운반하는 역할을 합니다.
반도체 세라믹 히터
반도체 히터는 뛰어난 열전도도, 고온 저항성, 그리고 전기 절연성을 가지고 있습니다. 빠르고 균일한 가열이 가능하며, 반도체 제조, 광전자 장비 및 기타 분야에서 널리 사용됩니다.
진공 웨이퍼 세라믹 척
진공 웨이퍼 척은 정밀 가공 및 반도체 제조에 중요한 장치로, 실리콘 웨이퍼 또는 기타 얇은 소재의 고정 및 취급을 위해 설계되었습니다. 진공 흡착 원리를 활용하여 가공, 테스트 또는 세척 중에 웨이퍼가 움직이지 않고 안정적으로 유지되도록 합니다.
반도체 장비 부품
많은 반도체 소자는 세라믹 절연 디스크, 세라믹 절연 링, 서미스터, 가스 감응성 세라믹, 감광성 세라믹 등과 같은 고급 세라믹 제품을 사용합니다.
원스톱 반도체 세라믹 제조 서비스
15+ 다년간의 경험. 고정밀 OEM 설계. 전문 R&D 팀. 경쟁력 있는 가격.
우리의 패스 성공 사례 추천사
제품의 수명은 얼마나 됩니까?
당사의 반도체 세라믹 제품은 내구성이 뛰어나고 고온, 고압, 부식성 환경에서도 장기간 안정적으로 작동할 수 있어 교체 비용을 절감할 수 있습니다.
재료는 어떻게 선택하나요?
다양한 적용 시나리오에 따라 올바른 소재를 선택하는 것이 좋습니다.
- 질화알루미늄(AlN): 열전도도(>170 W/m·K)와 전기 절연성이 우수하여 고전력 반도체 소자에 적합합니다.
- 산화 알루미늄(Al₂O₃): 기계적 강도와 내식성이 우수하여 기존 전자 부품에 널리 사용됩니다.
- 질화규소(Si₃N₄): 고온 안정성과 내충격성을 모두 갖추고 있어 특히 혹독한 환경의 핵심 부품에 적합합니다.
귀하의 사용자 정의 기능
다양한 사양과 복잡한 구조의 맞춤 제작을 지원합니다. 미크론 단위의 정밀 가공부터 특수 형상 부품 제작까지, 고객의 요구 사항을 충족시켜 드립니다.
한국어 
English 
Español 
Português (AO90) 
Français 
Deutsch (Sie) 
Русский 
Italiano 
Nederlands 
العربية 
Türkçe 
Polski 
日本語 
Bahasa Indonesia 
Tiếng Việt