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Differenze chiave tra 4H-SiC e 6H-SiC e come scegliere quello giusto

Data di pubblicazione: 2025-03-14 10:25:24

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Il carburo di silicio (SiC) sta evolvendo l'industria dei semiconduttori e dell'elettronica di potenza, nonché le applicazioni di sistemi ad alta temperatura. Il carburo di silicio metallico è necessario per alimentare veicoli elettrici, sistemi aerospaziali e infrastrutture per le energie rinnovabili, poiché è uno dei più elevati conduttori termici, nonché uno dei materiali più durevoli ed efficienti dal punto di vista operativo.

Purtroppo, non tutti i materiali SiC offrono lo stesso livello di qualità. Questa guida spiegherà le principali differenze tra i materiali SiC 4H e SiC 6H in base alle applicazioni e ai casi d'uso. Indicheremo anche cosa evitare per aumentare la durata e l'estetica di ciascun materiale. Approfondiamo!


Cosa sono 4H-SiC e 6H-SiC?

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La disposizione atomica di carburo di silicio differisce tra i politipi 4H-SiC e 6H-SiC, sebbene questi materiali condividano una composizione chimica comune. La minima differenza nella disposizione atomica tra questi due politipi genera cambiamenti sostanziali nelle caratteristiche elettriche, nel movimento degli elettroni e nelle caratteristiche termiche. La selezione del materiale in carburo di silicio determina il funzionamento degli inverter di potenza nelle auto elettriche, nei controlli dei motori industriali e nei sistemi di alimentazione ad alta frequenza.


Differenze chiave tra 4H-SiC e 6H-SiC

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La scelta del materiale SiC più adatto dipende dalla comprensione delle proprietà specifiche del 4H-SiC e del 6H-SiC. La sezione seguente presenta un'analisi dettagliata dei parametri strutturali, elettrici e termici tra 4H-SiC e 6H-SiC, in modo da poter scegliere il politipo perfetto per le proprie esigenze industriali.

Struttura cristallina

Le prestazioni del semiconduttore dipendono dalla disposizione atomica, che produce diverse velocità di movimento degli elettroni. Il 4H-SiC utilizza un impilamento esagonale a quattro strati, mentre il 6H-SiC ne impila sei. Le diverse disposizioni atomiche tra 4H-SiC e 6H-SiC determinano variazioni nella mobilità elettronica, oltre a variazioni di efficienza e tempi di risposta nei sistemi a semiconduttore.

  • Il 4H-SiC consente livelli di mobilità degli elettroni pari a circa 950 cm²/V·s, il che lo rende una scelta ottimale per le applicazioni di amplificatori RF e MOSFET di potenza.

  • Il 6H-SiC presenta una mobilità degli elettroni pari a circa 400 cm²/V·s, il che lo rende stabile e tuttavia idoneo per sistemi di controllo di potenza industriali e applicazioni di substrati LED che non necessitano di capacità di commutazione rapida.

Tensione di rottura e gap di energia di banda

L'ampio bandgap di 3,26 eV del 4H-SiC consente al materiale di resistere efficacemente ad alte tensioni e temperature estreme. Il 4H-SiC trova il suo impiego ideale negli inverter per veicoli elettrici e nelle applicazioni di elettronica di potenza aerospaziale. Il bandgap di 3,02 eV del 6H-SiC lo rende adatto a sistemi di potenza moderati che richiedono resistenza al calore senza richiedere tolleranza ad alte tensioni.

Conduttività termica

Il calore generato dall'elettronica di potenza ad alte prestazioni richiede metodi di dissipazione del calore efficienti per evitare guasti. Il 4H-SiC mostra una conduttività termica migliore rispetto al 6H-SiC quando la dissipazione del calore deve raggiungere i livelli massimi. Gli ingegneri che lavorano nel settore aerospaziale sviluppano elettronica di potenza ad alta temperatura scegliendo il 4H-SiC per la sua efficacia in ambienti operativi difficili. I sistemi di propulsione a reazione e i satelliti dipendono dalle unità di controllo della potenza in 4H-SiC per la loro capacità di funzionare in modo affidabile in condizioni termiche variabili.


Dove dovrebbe essere applicato ciascuno?

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Le aziende devono scegliere il politipo SiC più adatto tra prestazioni ottimali e funzionamento inefficiente in applicazioni esigenti ad alta potenza. La seguente analisi fornisce informazioni dettagliate sulle applicazioni 4H-SiC e 6H-SiC per agevolare la scelta del settore.

Quando scegliere 4H-SiC

Il carburo di silicio 4H (4H-SiC) è la scelta preferita per le situazioni in cui sono richieste eccellenti prestazioni di commutazione, elevata efficienza energetica e prestazioni elevate in condizioni difficili. Grazie all'ampio bandgap e alle eccezionali prestazioni termiche, può essere utilizzato con successo nell'elettronica di potenza avanzata nei principali settori industriali.

  • Inverter per veicoli elettrici Tesla: L'azienda si affida ai MOSFET 4H-SiC nei suoi veicoli elettrici per aiutare gli inverter a utilizzare l'energia della batteria in modo più efficiente. Grazie alla commutazione rapida e alle minori perdite del 4H-SiC, si ottiene una maggiore autonomia dalla batteria, un'accelerazione più rapida e una guida più reattiva. La nuova tecnologia consente a Tesla di migliorare sia le prestazioni che la soddisfazione dei suoi clienti di veicoli elettrici.

  • Migliore conversione dell'energia rinnovabile: L'elevata efficienza nella conversione di energia ad alta tensione negli inverter solari e nei convertitori di potenza delle turbine eoliche è resa possibile dal 4H-SiC. L'efficienza energetica contribuisce ad aumentare la produzione di energia da fonti rinnovabili e a ridurre i costi, consentendo a produttori e consumatori di beneficiare di un'energia più sostenibile.

  • Settori che utilizzano l'automazione per risparmiare energia: Molte aziende leader, come Siemens, si affidano al 4H-SiC negli azionamenti motore e nei convertitori ad alta tensione per contribuire a ridurre le perdite di energia nell'automazione industriale. Grazie a ciò, il consumo di elettricità è inferiore, le apparecchiature funzionano in modo più fluido e i costi di manutenzione diminuiscono, contribuendo sia all'ambiente che all'azienda.

  • Utilizzo di alta tensione e temperature estreme nei settori automobilistico e aerospaziale: La capacità del 4H-SiC di funzionare bene ad alte tensioni e a temperature estremamente basse ed elevate è essenziale per l'elettronica di potenza per autoveicoli e i sistemi di propulsione aerospaziale. Migliora la resistenza e la sicurezza dei componenti, contribuendo a ridurre i consumi dei veicoli elettrici e a rendere le applicazioni aerospaziali più leggere.

  • Aerei elettrici di nuova generazione: I produttori di aerei elettrici utilizzano il 4H-SiC per progettare sistemi di alimentazione leggeri ed efficienti che riducono il consumo delle batterie e prolungano la durata del volo. Le nuove tecnologie nel settore dell'aviazione contribuiscono a raggiungere la sostenibilità, consentendo voli più silenziosi, più lunghi e più puliti, a vantaggio sia dell'economia che dell'ambiente.

  • Elettronica spaziale della NASA: Poiché il 4H-SiC è altamente resistente alle radiazioni e rimane stabile alle alte temperature, la NASA lo utilizza nell'elettronica degli strumenti destinati allo spazio. Grazie a questo materiale, i sistemi chiave sono più sicuri, il che rende possibili progetti di esplorazione spaziale per periodi più lunghi.

Quando dovresti usare 6H-SiC?

Grazie alle sue proprietà di robustezza, flessibilità e resistenza al calore, il carburo di silicio 6H (6H-SiC) è comune in aree in cui sono richieste strutture stabili, mentre la commutazione ultraveloce è meno importante. Offre una soluzione affidabile ed economica per dispositivi che verranno utilizzati ininterrottamente per lungo tempo, anche in ambienti difficili.

  • LED prodotti su substrati 6H-SiC: I LED prodotti su substrati 6H-SiC offrono una qualità cristallina migliorata, che si traduce in luci e schermi più luminosi e a risparmio energetico. I LED Donaldson durano nel tempo e brillano intensamente, a vantaggio degli utenti di elettronica di consumo e architettura, riducendo sia il consumo energetico che i requisiti di manutenzione.

  • Sensori ad alta risoluzione progettati per uso ottico: Grazie al 6H-SiC, possiamo progettare sensori ottici precisi che forniscono un output preciso a lunghezza d'onda per l'impiego in ambito di ricerca, industria e medicina. Grazie alle sue prestazioni costanti in presenza di calore e radiazioni, i clienti possono contare sui sensori per ottenere informazioni importanti durante la diagnostica e l'uso quotidiano.

  • Sensori spaziali costruiti per resistere all'esposizione alle radiazioni: Le eccezionali qualità dei sensori spaziali realizzati in 6H-SiC, come la bassa emissione di radiazioni e l'elevata stabilità meccanica, ne garantiscono l'idoneità al funzionamento prolungato nello spazio. In queste difficili condizioni spaziali, questi sensori contribuiscono a garantire risultati corretti e affidabili per l'osservazione della Terra, l'astronomia e la scienza planetaria.

  • Sistemi energetici a basso costo e durevoli: Quando la velocità di commutazione non è essenziale per i sistemi di controllo dell'alimentazione industriale, il 6H-SiC è durevole e meno costoso. Grazie alla sua capacità di operare in condizioni estreme e ad alte temperature, i clienti che utilizzano le sue apparecchiature beneficiano di una gestione energetica affidabile, di un minor numero di riparazioni e di una maggiore durata dei loro impianti elettrici.


Massimizzazione delle prestazioni SiC

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Per sfruttare al meglio il 4H-SiC e il 6H-SiC, è necessario conoscerne i punti di forza e applicare le migliori pratiche d'uso. Ingegneri e produttori possono considerare la gestione termica, la progettazione del dispositivo e i requisiti specifici dell'applicazione del SiC per ottimizzarne le prestazioni. Alcuni modi pratici per aumentare l'efficienza del SiC sono i seguenti:

  • Generazione efficiente di calore: consentono una generazione di calore sostanziale con elevata affidabilità in ambienti estremi, risultando al contempo adatti per un utilizzo intensivo.

  • Selezionare il politipo corretto per l'applicazione: per dispositivi elettronici ad alta frequenza e alta potenza in cui efficienza e velocità di commutazione sono importanti, si sceglie il 4H-SiC, mentre il 6H-SiC è migliore per applicazioni in cui sono richiesti stabilità strutturale e costi inferiori.

  • Aumenta l'efficienza di conversione di potenza: implementa driver di gate SiC di alta qualità e progetti di circuiti di potenza che riducono al minimo le perdite di energia e sfruttano appieno le eccellenti caratteristiche elettriche del SiC.

  • Pensa all'ambiente: i componenti SiC utilizzati in ambito aerospaziale, automobilistico e industriale devono essere testati per resistere a variazioni estreme di temperatura e stress meccanico, per un'affidabilità a lungo termine.

  • Utilizzare tecniche di confezionamento avanzate: secondo la letteratura, l'induttanza e la capacità parassite possono essere ridotte utilizzando un confezionamento progettato correttamente, il che migliorerà le prestazioni generali del sistema e la sua longevità.

Seguendo le best practice relative a 4H-SiC e 6H-SiC, le industrie saranno in grado di sfruttare appieno i vantaggi di 4H-SiC e 6H-SiC nelle applicazioni di elettronica di potenza e semiconduttori, ottenendo livelli eccezionali di efficienza, durata e convenienza.


Conclusione

Le aziende dovrebbero selezionare i materiali SiC in base ai requisiti della loro applicazione, poiché questa decisione determina l'efficienza delle prestazioni e l'affidabilità del sistema, nonché i costi operativi totali. Il 4H-SiC si distingue come la migliore opzione di materiale SiC per applicazioni impegnative ad alta potenza e alta frequenza e alimenta veicoli elettrici, sistemi di alimentazione industriali e dispositivi elettronici aerospaziali.

I produttori devono scegliere i politipi di SiC ottimali per mantenere un vantaggio competitivo quando le industrie cercano di migliorare l'efficienza e la durata. La selezione del materiale SiC appropriato alimenterà l'innovazione e il successo sul mercato attraverso l'ottimizzazione della potenza, il progresso termico e il miglioramento della durata dei componenti nello sviluppo tecnologico di prossima generazione.

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