Fournisseur de substrats en nitrure d'aluminium (AlN) - Solution personnalisée optimale
Substrat en nitrure d'aluminium (ALN) Il s'agit d'un substrat céramique présentant d'excellentes propriétés thermiques et électriques, une résistance élevée à la flexion (450) et une excellente conductivité thermique (170 W/mK). Dans les dispositifs électroniques de très haute puissance, il constitue un choix idéal pour la dissipation thermique, garantissant la stabilité des appareils électroniques en fonctionnement et réduisant efficacement l'impact des contraintes thermiques sur les composants.
GORGEOUS conçoit des substrats en nitrure d'aluminium spécifiquement pour les composants semi-conducteurs de puissance, en personnalisant et en fournissant les meilleures solutions de dissipation thermique.
nitrure d'aluminium (AlN) - En savoir plus sur ce matériel
Principaux avantages des substrats ALN
Valeurs techniques et paramètres du substrat en nitrure d'aluminium
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Propriétés physiques |
Propriétés électriques |
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Densité : ≥ 3,34 g/cm3 |
Constante diélectrique à 1 MHz : +/- 8,5 |
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Valeur Ra : ≤ 0,4 µm |
Facteur de perte diélectrique à 1 MHz : ≤1 (10-3 ) |
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Couleur : Gris/Marron clair |
Résistivité volumique à 20°C: ≥1014 Ω cm |
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Température maximale : ≥1000°C (gaz inerte) |
Rigidité diélectrique : ≥ 15 kV/mm |
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Propriétés mécaniques |
Géométrie - Masterplates |
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Résistance à la flexion DR sigma 0 (méthode en 3 points) : ≥ 450 MPa |
Taille standard : 190 mm × 140 mm (7,5″ × 5,5″), tolérance ±1,0% |
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Ténacité à la rupture (méthode IF) : ≥ 3,0 MPa*√m |
Plage d'épaisseur : 0,38 mm à 1,50 mm, tolérance ±10% |
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Module de Young : ≥ 300 GPa |
Déformation/Cambrure : 0,2% à 0,6% |
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Propriétés thermiques |
Géométrie - Substrat laser |
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ETC : 100-800°C : ± 4,8 - 6,2 10-6 /K |
Épaisseur standard : 0,635 mm (0,025″) |
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Conductivité thermique (25°C): ≥170 W/(m·K) |
Tolérance de longueur et de largeur : +0,20 mm / -0,05 mm (+0,0079″ / -0,002″) |
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Capacité thermique spécifique (25°C) : 0,72 J/gK |
Domaines d'application du substrat AlN
- Substrat de dissipation thermique en céramique pour module IGBT
- Substrat d'encapsulation de diode laser (LD Submount)
- Module de communication haute fréquence (tel que le module amplificateur de puissance 5G)
- Dissipateur thermique pour boîtier de puce LED
- Substrat d'encapsulation de dispositifs semi-conducteurs de puissance (MOSFET, SiC, GaN)
- Couche de dissipation thermique des composants radar aérospatiaux
- Base de dissipation thermique du module onduleur de véhicule électrique
- Substrat de circuit à micro-ondes/ondes millimétriques (MMIC)
- Substrat de circuit haute performance dans les équipements d'imagerie médicale
- Substrat de module de puissance haute fréquence dans un système de contrôle d'automatisation industrielle
- Substrat d'encapsulation d'optocoupleur
- Substrat de module amplificateur de puissance RF
Services de traitement
- Traitement de métallisation (couche mince, couche épaisse, DBC, AMB, DPC, etc.)
- Usinage
- Cibles de pulvérisation en nitrure d'aluminium
- Polissage/meulage
| Fonctionnalité | Cibles de pulvérisation | Substrat |
|---|---|---|
| Type de matériau | Nitrure d'aluminium (AlN) | Nitrure d'aluminium de haute pureté (AlN) |
| Symbole | AlN | AlN |
| Pureté | 99.5% ou normes internationales | 99%, 99.99% ou normes internationales |
| Formes | Disques, plaques, marches (diamètre 355 mm, épaisseur 0,5 mm) | Disques, rectangles, marches, plaques, feuilles, tiges |
| Formes et tailles personnalisées | Disponible pour devis | Disponible pour devis |
| Dimensions | Diamètre (355 mm), épaisseur (0,5 mm), sur mesure | Sur mesure |
Notes supplémentaires :
- Les cibles de pulvérisation et les substrats sont fabriqués à partir de nitrure d'aluminium de haute qualité.
- Les niveaux de pureté peuvent être personnalisés pour répondre à des exigences spécifiques.
- Une variété de formes et de tailles sont disponibles, y compris les options personnalisées.
