SiC Wafers / SiC Substrates
GORGEOUS is a leading international ceramic supplier, specializing in providing customers with SIC substrates/wafer products used in new energy electric vehicles and semiconductor manufacturing. We can customize exclusive solutions based on the application!
Silicon Carbide Substrate Solutions
- Multi-Specification Wafer Supply: We offer standard wafer sizes, including 2-inch, 4-inch, and 6-inch, and can customize wafers based on customer needs.
- High-Purity Crystal Growth: We utilize advanced PVT (Physical Vapor Transport) and high-temperature sintering processes to ensure low defect density and high uniformity.
- Gia công chính xác: We offer wafer dicing, grinding, polishing, and epitaxial (Epi) growth processes to ensure surface quality and flatness.
- Metallization and Post-Processing: We offer coating, ion implantation, patterning, and etching services tailored to customer needs to enhance device integration.
- Strict Testing: We conduct defect inspection, thickness uniformity testing, and surface roughness testing on every wafer to ensure it meets the diverse needs of our customers’ high-end applications.
Leading International SiC Substrate Supplier
GORGEOUS has over 15 years of expertise in high-performance ceramic substrate manufacturing, dedicated to providing customers with high-quality SiC substrates and wafers.
We utilize advanced crystal growth technology, employing high-temperature PVT, to produce large-scale, low-defect SiC crystals to meet global market demands.
We offer a complete processing chain, from crystal growth → wafer slicing → polishing → epitaxy → metallization, providing customers with a one-stop solution and ensuring consistent quality.
Our products are marketed globally and have earned the trust of numerous international customers. Whether you’re in the new energy vehicle, renewable energy, communications, or high-end semiconductor industries, GORGEOUS can meet your needs!
When you choose GORGEOUS, you’re not just choosing a supplier; you’re choosing a trusted manufacturing partner capable of large-scale production and fast delivery.
Silicon Carbide Substrate/Silicon Carbide Wafer Product Gallery
4H n-Type SiC Substrate
| Polytype | 4H |
| Diameter（mm） | 150/200 |
| Orientation（°） | 4 |
| Thickness（μm） | 350/500 |
| Hoàn thiện bề mặt | Epi-ready |
4H Semi-Insulating
| Polytype | 4H |
| Diameter（mm） | 100 & 150 |
| Orientation（°） | 0 |
| Thickness（μm） | 500 |
| Hoàn thiện bề mặt | Epi-ready |
Y
Silicon Carbide Substrate/Wafer Applications
Electronics and Semiconductor Fields
Đế gốm nhôm oxit (alumina) cung cấp đặc tính cách điện và tản nhiệt tuyệt vời, có thể được sử dụng trong bảng mạch in (PCB) và mạch tích hợp lai (HIC).
Các ứng dụng phổ biến của các đế gốm này trong lĩnh vực điện tử và bán dẫn bao gồm đế đóng gói bán dẫn, đế mạch màng dày/màng mỏng và giá đỡ cảm biến (sensor carrier).
Lĩnh vực truyền thông và tần số vô tuyến (RF)
Đế gốm nhôm oxit (alumina) có thể được sử dụng trong lĩnh vực truyền thông và tần số vô tuyến (RF) làm đế mạch RF và đế thiết bị vi sóng. Chúng duy trì tổn hao điện môi thấp và tín hiệu ổn định trong truyền thông tần số cao (như các trạm phát sóng 5G và hệ thống radar). Với vai trò là đế thiết bị vi sóng, chúng thường được ứng dụng trong các linh kiện như bộ lọc, bộ khuếch đại công suất và bộ ghép nối (coupler) để đảm bảo các đặc tính tần số cao.
Ô tô và Năng lượng mới
Đế gốm nhôm oxit (alumina) có thể được sử dụng trong ngành ô tô và xe năng lượng mới để tản nhiệt cho các mô-đun công suất như mô-đun IGBT và mô-đun điều khiển động cơ, đảm bảo hệ thống vận hành hiệu quả và ổn định. Chúng cũng có thể được sử dụng làm mạch điện tử trên xe (on-board).
Chiếu sáng và Hiển thị
Alumina substrates can be used in high-power LED lamp beads to dissipate heat, helping to avoid light decay; while in laser diodes and displays, ceramic substrates can provide good electrical insulation and thermal management.
Aerospace and Military
Radar and satellite electronic devices require high-frequency, high-power, and highly reliable components, and alumina substrates can provide high insulation and thermal stability.
Bạn có lo lắng về MOQ không?
Our SiC substrates offer custom monolithic manufacturing to meet small order needs. Experience our services today.
Tại sao nên chọn GORGEOUS?
At GORGEOUS, quality control is our top priority. Every SiC substrate is manufactured to our customers’ exacting specifications and undergoes multiple inspections and tests, from raw materials to finished product, to ensure consistent performance and reliable quality.
Nhà máy của chúng tôi đạt chứng nhận IATF 16949:2016 cho ngành công nghiệp ô tô e ISO 9001:2015 cho hệ thống quản lý chất lượng quốc tế. Điều này không chỉ thể hiện cam kết của chúng tôi về chất lượng mà còn đảm bảo chúng tôi có thể cung cấp cho khách hàng các giải pháp tùy chỉnh đáp ứng tiêu chuẩn cao.
Thành công của chúng tôi Lời chứng thực
The wafers provided by GORGEOUS are of stable quality, delivered on time and have excellent performance.
Christopher Johnson
We needed custom silicon nitride substrates for high-power electronic modules, and GORGEOUS fully met our technical requirements.
Richard Collins
The silicon nitride ceramic substrates provided by GORGEOUS have high surface finish, uniform microstructure and good performance consistency.
Lukas Meier
Câu hỏi thường gặp
What is the heat dissipation performance of silicon carbide substrates?
SiC substrates typically have a thermal conductivity over three times that of silicon and can effectively reduce device operating temperatures. In high-power applications such as new energy vehicles and photovoltaic inverters, the use of SiC substrates enables long-term stable operation at high temperatures and high currents, effectively extending system life.
Is your delivery time stable?
Silicon carbide crystals are difficult to grow and process, which generally results in higher costs than silicon substrates. However, GORGEOUS’s production technology is highly mature, and we have a comprehensive production line and stable supply capabilities, supporting small-batch R&D to large-scale mass production, while ensuring stable delivery to customers.
Why is defect density in SiC substrates important?
Defect density (such as micropipes and dislocations) directly impacts chip yield and performance. Low-defect-density SiC wafers significantly improve device consistency and reliability, making them a key concern for customers during procurement.