窒化アルミニウム(AlN)基板サプライヤー - カスタマイズされた最適なソリューション
窒化アルミニウム(ALN)基板 優れた熱特性と電気特性、高い曲げ強度(450)、優れた熱伝導率(170W/mK)を備えたセラミック基板です。超高出力電子機器において、お客様にとって理想的な放熱基板として、電子機器の動作安定性を確保し、部品への熱応力の影響を効果的に低減します。
GORGEOUS は、パワー半導体部品専用の窒化アルミニウム基板を設計し、最適な放熱ソリューションをカスタマイズして提供します。
窒化アルミニウム (AlN) - この資料についてさらに詳しく
ALN基板の主な利点
窒化アルミニウム基板の技術的価値とパラメータ
物理的特性 |
電気特性 |
密度: ≥ 3.34 g/cm3 |
1 MHzでの誘電率: +/- 8.5 |
Ra値: ≤ 0.4 µm |
1MHzにおける誘電損失係数:≤1 (10-3 ) |
色: グレー/ライトブラウン |
体積抵抗率20℃: ≥1014 Ωcm |
最高温度: ≥1000℃ (不活性ガス) |
絶縁耐力: ≥15 kV/mm |
機械的特性 |
ジオメトリ - マスタープレート |
曲げ強度 DR シグマ 0(3点法): ≥450 MPa |
標準サイズ:190 mm × 140 mm(7.5インチ × 5.5インチ)、許容差±1.0% |
破壊靭性(IF法): ≥3.0MPa*√m |
厚さ範囲:0.38 mm~1.50 mm、許容差±10% |
ヤング率: ≥ 300 GPa |
反り/キャンバー: 0.2%~0.6% |
熱特性 |
ジオメトリ - レーザー基板 |
CTE: 100-800°C: ± 4.8 - 6.2 10-6 /K |
標準厚さ: 0.635 mm (0.025″) |
熱伝導率(25℃): ≥170 W/(m·K) |
長さと幅の許容差: +0.20 mm / -0.05 mm (+0.0079″ / -0.002″) |
比熱容量(25°C):0.72 J/gK |
AlN基板の応用分野
- IGBTモジュール用セラミック放熱基板
- レーザーダイオードパッケージ基板(LDサブマウント)
- 高周波通信モジュール(5Gパワーアンプモジュールなど)
- LEDチップパッケージングヒートシンク
- パワー半導体デバイス(MOSFET、SiC、GaNデバイス)パッケージ基板
- 航空宇宙レーダー部品の放熱層
- 電気自動車インバータモジュール放熱ベース
- マイクロ波/ミリ波回路基板(MMIC)
- 医療用画像機器向け高性能回路基板
- 産業オートメーション制御システムにおける高周波パワーモジュール基板
- オプトカプラパッケージ基板
- RFパワーアンプモジュール基板
処理サービス
- メタライゼーション処理(薄膜、厚膜、DBC、AMB、DPCなど)
- 機械加工
- 窒化アルミニウムスパッタリングターゲット
- 研磨/研削
特徴 | スパッタリングターゲット | 基板 |
---|---|---|
素材の種類 | 窒化アルミニウム(AlN) | 高純度窒化アルミニウム(AlN) |
シンボル | 窒化アルミニウム | 窒化アルミニウム |
純度 | 99.5%または国際規格 | 99%、99.99%、または国際規格 |
図形 | ディスク、プレート、ステップ(直径355mm、厚さ0.5mm) | ディスク、長方形、ステップ、プレート、シート、ロッド |
カスタム形状とサイズ | お見積り可能 | お見積り可能 |
寸法 | 直径(355mm)、厚さ(0.5mm)、特注品 | カスタムメイド |
追加情報:
- スパッタリングターゲットと基板はどちらも高品質の窒化アルミニウムから作られています。
- 純度レベルは特定の要件に合わせてカスタマイズできます。
- 様々な形やサイズがあり、 カスタム オプションを含みます。