氮化铝（AlN）基板供应商-定制最佳解决方案
氮化铝（ALN）基板 是一款具有优异热性能和电性能的陶瓷基板，具有较高的抗弯强度（450），以及优异的热导率（170W/mK）。在超大功率电子设备中，是客户理想的散热选择，确保电子设备在运行过程中的稳定性，有效降低热应力对元器件的影响。
GORGEOUS专为功率半导体元件设计氮化铝基板，定制并提供最佳散热解决方案。
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ALN 基板的关键优势
氮化铝基板技术值&参数
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物理特性 |
电气性能 |
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密度：≥3.34g/cm3 |
1 MHz 时的介电常数：+/- 8.5 |
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Ra值：≤0.4μm |
1MHz 时的介质损耗因数：≤1 (10-3 ) |
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颜色：灰色/浅棕色 |
20℃时的体积电阻率℃：≥1014 Ω·厘米 |
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最高温度：≥1000℃ （惰性气体） |
介电强度：≥15kV/mm |
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机械性能 |
几何 - 模板 |
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弯曲强度 DR sigma 0（3 点法）：≥450 MPa |
标准尺寸：190 毫米 × 140 毫米（7.5 英寸 × 5.5 英寸），公差±1.0% |
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断裂韧度（IF法）：≥3.0MPa*√m |
厚度范围：0.38 毫米至 1.50 毫米，公差±10% |
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杨氏模量：≥300 GPa |
翘曲/弯曲：0.2% 至 0.6% |
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热性能 |
几何 - 激光基板 |
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热膨胀系数：100-800°C：±4.8 - 6.2 10-6 /K |
标准厚度：0.635 毫米（0.025 英寸） |
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热导率（25℃): ≥170瓦/（米·K） |
长度和宽度公差：+0.20 毫米 / -0.05 毫米 (+0.0079 英寸 / -0.002 英寸) |
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比热容（25°C）：0.72 J/gK |
AlN衬底的应用领域
- IGBT模块陶瓷散热基板
- 激光二极管封装基板（LD Submount）
- 高频通信模块（如5G功放模块）
- LED芯片封装散热器
- 功率半导体器件（MOSFET、SiC、GaN器件）封装基板
- 航天雷达部件散热层
- 电动车逆变器模块散热底座
- 微波/毫米波电路基板（MMIC）
- 医疗影像设备中的高性能电路基板
- 工业自动化控制系统中的高频功率模块基板
- 光耦合器封装基板
- 射频功率放大器模块基板
加工服务
- 金属化处理（薄膜、厚膜、DBC、AMB、DPC等）
- 加工
- 氮化铝溅射靶材
- 抛光/研磨
| 特征 | 溅射靶材 | 基材 |
|---|---|---|
| 材料类型 | 氮化铝（AlN） | 高纯度氮化铝（AlN） |
| 象征 | 氮化铝 | 氮化铝 |
| 纯度 | 99.5%或国际标准 | 99%、99.99% 或国际标准 |
| 形状 | 圆盘、板材、台阶（直径 355 毫米，厚度 0.5 毫米） | 圆盘、矩形、阶梯状、板材、薄板、棒材 |
| 定制形状和尺寸 | 可供报价 | 可供报价 |
| 方面 | 直径（355mm）、厚度（0.5mm）、定制 | 定制 |
补充说明：
- 溅射靶材和基板均采用高品质氮化铝制成。
- 纯度级别可以定制以满足特定要求。
- 有多种形状和尺寸可供选择， 包括自定义选项。
