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4H-SiCと6H-SiCの主な違いと適切な選び方

公開日時: 2025-03-14 10:25:24

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シリコンカーバイド(SiC)は、半導体およびパワーエレクトロニクス産業、そして高温システムアプリケーションにおいて進化を遂げています。金属シリコンカーバイドは、最も優れた熱伝導率を持つ材料の一つであると同時に、最も耐久性と運用効率に優れた材料の一つであるため、電気自動車、航空宇宙システム、再生可能エネルギーインフラへの電力供給に不可欠な材料となっています。

残念ながら、すべてのSiC材料が同じ品質レベルにあるわけではありません。このガイドでは、用途と使用例に基づいて、4H SiCと6H SiCの主な違いを説明します。また、各材料の耐久性と美観を向上させるために避けるべき点についても解説します。それでは早速見ていきましょう!


4H-SiC と 6H-SiC とは何ですか?

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原子配列は 炭化ケイ素 4H-SiCと6H-SiCは化学組成が共通しているにもかかわらず、ポリタイプによって構造が異なります。この2つのポリタイプ間の原子配列のわずかな違いが、電気特性、電子の動き、そして熱特性に大きな変化をもたらします。シリコンカーバイド(SiC)の材料選定は、電気自動車、産業用モーター制御、高周波電力システムにおけるパワーインバータの性能を左右します。


4H-SiCと6H-SiCの主な違い

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適切なSiC材料を選択するには、4H-SiCと6H-SiCの異なる特性を理解することが重要です。次のセクションでは、4H-SiCと6H-SiCの構造、電気特性、熱特性を詳細に検証し、お客様の産業ニーズに最適なポリタイプを選択できるよう支援します。

結晶構造

半導体の性能は原子配列に依存し、電子の移動速度に差が生じます。4H-SiCは4層の六角形構造を採用しているのに対し、6H-SiCは6層構造を採用しています。4H-SiCと6H-SiCの原子配列の違いは、半導体システムにおける電子移動度、効率、応答速度に変化をもたらします。

  • 4H-SiC は、約 950 cm²/V·s の電子移動度レベルを可能にするため、RF アンプやパワー MOSFET アプリケーションに最適です。

  • 6H-SiC は、約 400 cm²/V·s の電子移動度を示し、安定しており、高速スイッチング機能を必要としない産業用電力制御システムや LED 基板アプリケーションに適しています。

破壊電圧とバンドエネルギーギャップ

4H-SiCは3.26eVという広いバンドギャップを有し、高電圧と極度の温度にも効果的に耐えることができます。4H-SiCは、電気自動車のインバータや航空宇宙のパワーエレクトロニクス用途に最適です。6H-SiCは3.02eVというバンドギャップを有し、高電圧耐性を必要とせず耐熱性も求められる中程度の電力システムに適しています。

熱伝導率

高性能パワーエレクトロニクスから発生する熱は、故障を防ぐために効率的な放熱方法を必要とします。4H-SiCは、放熱を最大レベルまで高める必要がある場合、6H-SiCよりも優れた熱伝導性を示します。航空宇宙分野のエンジニアは、過酷な動作環境でも効果的に機能する4H-SiCを選択して高温パワーエレクトロニクスを開発しています。ジェット推進システムや衛星は、変化する熱条件下でも確実に機能するために、4H-SiC電力制御ユニットに依存しています。


それぞれどこに適用すべきでしょうか?

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企業は、要求の厳しい高出力アプリケーションにおいて、ピーク性能と非効率な動作の間で適切なSiCポリタイプを選択する必要があります。以下の分析では、4H-SiCおよび6H-SiCのアプリケーションに関する詳細な情報を提供し、業界における選択を支援します。

4H-SiCを選ぶべきタイミング

4H-シリコンカーバイド(4H-SiC)は、優れたスイッチング特性、高いエネルギー効率、そして過酷な条件下での高性能が求められる用途に最適です。大きなバンドギャップと優れた熱性能により、主要産業における高度なパワーエレクトロニクスに効果的に活用されています。

  • テスラの電気自動車インバーター: テスラは、電気自動車に4H-SiC MOSFETを採用し、インバーターによるバッテリー電力の効率的な利用を実現しています。4H-SiCの高速スイッチングと低損失により、バッテリーの燃費向上、加速性能の向上、そしてレスポンスの向上が実現します。この新技術により、テスラはEVユーザーのパフォーマンスと満足度の両方を向上させることができます。

  • 再生可能エネルギー電力のより良い変換: 4H-SiCは、太陽光発電用インバータや風力発電用電力コンバータにおける高電圧電力変換における高効率化を実現します。エネルギー効率の向上は再生可能エネルギーの生産量増加とコスト削減につながり、生産者と消費者はより持続可能なエネルギーを享受できるようになります。

  • 自動化を利用してエネルギーを節約する業界: シーメンスをはじめとする多くの大手企業は、産業オートメーションにおけるエネルギー損失の削減に役立てるため、モーター駆動装置や高電圧コンバーターに4H-SiCを採用しています。これにより、電力使用量が削減され、機器のスムーズな動作と維持費の削減が実現し、環境と工場の両方に貢献します。

  • 自動車および航空宇宙における高電圧および極度の温度の使用: 4H-SiCは高電圧、極低温、高温下でも良好な動作を示し、自動車用パワーエレクトロニクスや航空宇宙用推進システムにとって不可欠です。部品の強度と安全性を向上させ、電気自動車の燃費向上や航空宇宙用途の軽量化に貢献します。

  • 次世代電気航空機: 電気航空機メーカーは、4H-SiCを用いて軽量で効率的な電力システムを設計し、バッテリー消費量を削減し、滞空時間を延長します。航空業界の新技術は、より静かで、より長く、よりクリーンな飛行をサポートすることで、経済と環境の両面において持続可能性の実現に貢献します。

  • NASAの宇宙電子機器: 4H-SiCは放射線耐性が高く、高温でも安定しているため、NASAは宇宙用機器の電子機器に使用しています。この材料のおかげで、主要システムのセキュリティが向上し、より長期にわたる宇宙探査プロジェクトが可能になります。

6H-SiC はいつ使用すべきですか?

6H-シリコンカーバイド(6H-SiC)は、その強靭性、柔軟性、耐熱性から、超高速スイッチングがそれほど重要ではなく、安定した構造が求められる分野で広く使用されています。過酷な環境下でも長期間連続使用されるデバイスにとって、信頼性と経済性に優れたソリューションを提供します。

  • 6H-SiC基板上に製造されたLED: 6H-SiC基板上に製造されたLEDは結晶品質が向上し、より明るく省エネな照明やスクリーンを実現します。ドナルドソンのLEDは長寿命で明るいため、建築用電子機器や家庭用電子機器のユーザーに、エネルギー消費量とメンテナンスの必要性を低減するメリットをもたらします。

  • 光学用途向けに設計された高解像度センサー: 6H-SiCのおかげで、研究、産業、医療用途において正確な波長出力を提供する高精度光センサーを設計することが可能になりました。熱や放射線下でも性能が変わらないため、お客様は診断時や日常使用時に重要な情報を得るためにこれらのセンサーを信頼してご利用いただけます。

  • 放射線への曝露に耐えられるように作られた宇宙ベースのセンサー: 6H-SiC製の宇宙センサーは、低放射線量と高い機械的安定性といった優れた特性を備えており、宇宙空間での長期運用に適しています。こうした過酷な宇宙環境下において、これらのセンサーは地球観測、天文学、惑星科学において正確で信頼性の高い結果の確保に貢献します。

  • 耐久性に優れた低コストの電力システム: 産業用電力制御システムにおいてスイッチング速度が重要でない場合、6H-SiCは耐久性と低コストを両立します。過酷な条件や高温下でも動作するため、6H-SiC製品を使用するお客様は、信頼性の高いエネルギー管理、修理回数の削減、そして電気システムの長寿命化といったメリットを享受できます。


SiCの性能を最大限に引き出す

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4H-SiCと6H-SiCを最大限に活用するには、それぞれの強みを理解し、ベストプラクティスを適用する必要があります。エンジニアやメーカーは、熱管理、デバイス設計、そしてアプリケーション固有の要件を考慮することで、SiCの性能を最適化できます。SiCの効率を向上させるための実用的な方法をいくつかご紹介します。

  • 効率的な熱生成: 過酷な環境でも高い信頼性で大量の熱を生成すると同時に、使用頻度の増加にも適しています。

  • アプリケーションに適したポリタイプを選択する: 効率とスイッチング速度が重要な高周波、高出力電子デバイスの場合は 4H-SiC が選択されますが、構造的安定性と低コストが求められるアプリケーションには 6H-SiC が適しています。

  • 電力変換効率の向上: エネルギー損失を最小限に抑え、SiC の優れた電気特性を最大限に活用する高品質の SiC ゲート ドライバーと電源回路設計を導入します。

  • 環境を考慮する: 航空宇宙、自動車、産業環境で使用される SiC コンポーネントは、長期的な信頼性を確保するために、極端な温度変化と機械的ストレスに耐えられるようにテストする必要があります。

  • 高度なパッケージング技術の使用: 文献によると、適切に設計されたパッケージを使用することで寄生インダクタンスと寄生容量を削減でき、システム全体のパフォーマンスと寿命が向上します。

これらの 4H-SiC と 6H-SiC のベスト プラクティスに従うことで、産業界はパワー エレクトロニクスや半導体アプリケーションにおける 4H-SiC と 6H-SiC の利点を最大限に活用し、優れた効率、耐久性、コスト効率を実現できるようになります。


結論

組織は、アプリケーション要件に応じて SiC 材料を選択する必要があります。この決定によって、パフォーマンス効率、システムの信頼性、および総運用コストが決まるからです。4H-SiC は、要求の厳しい高電力および高周波アプリケーションに最適な SiC 材料オプションとして際立っており、電気自動車、産業用電力システム、航空宇宙用電子機器に電力を供給します。

業界が効率と耐久性の向上を求める中、メーカーは競争優位性を維持するために最適なSiCポリタイプを選択する必要があります。適切なSiC材料の選択は、次世代技術開発における電力最適化、熱性能の向上、そして部品の耐久性向上を通じて、イノベーションと市場での成功を促進します。

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