Substrat Aluminium Nitrida

Kembali

Substrat keramik aluminium nitrida yang dapat disesuaikan berukuran 114x114x2mm dengan konduktivitas termal tinggi — substrat-keramik-aluminium-nitrida-yang-dapat-disesuaikan-114x114x2mm
Gambar ini menunjukkan substrat keramik aluminium nitrida (ALN) yang dapat disesuaikan berukuran 114×114×2 mm. Substrat ini menawarkan konduktivitas termal dan insulasi listrik yang sangat baik, cocok untuk elektronika daya, modul LED, dan perangkat RF. Tersedia opsi pemesinan dan ukuran khusus untuk memenuhi kebutuhan aplikasi spesifik.

Potongan substrat keramik aluminium nitrida dengan konduktivitas termal yang sangat baik — potongan-potongan-substrat-keramik-aluminium-nitrida
Gambar menunjukkan potongan substrat keramik aluminium nitrida, yang dikenal karena konduktivitas termal dan insulasi listriknya yang tinggi. Substrat ini banyak digunakan pada perangkat elektronik, kemasan LED, dan modul daya yang membutuhkan pembuangan panas yang efisien.

Substrat keramik aluminium nitrida dengan konduktivitas termal dan isolasi listrik yang tinggi — substrat keramik aluminium nitrida
Gambar ini menunjukkan substrat keramik aluminium nitrida, yang dikenal karena konduktivitas termal, insulasi listrik, dan kekuatan mekanisnya yang sangat baik. Substrat ini banyak digunakan dalam industri elektronika daya tinggi, pengemasan LED, dan semikonduktor.

Substrat keramik multilayer aluminium nitrida HTCC untuk kemasan elektronik keandalan tinggi — substrat multilapis aluminium nitrida htcc
Gambar menunjukkan substrat keramik multilapis aluminium nitrida (HTCC) yang dipanaskan bersama pada suhu tinggi. Substrat ini mengintegrasikan beberapa lapisan keramik fungsional dengan sirkuit logam internal, menghasilkan konduktivitas termal, kedap udara, dan keandalan yang sangat baik. Ideal untuk kedirgantaraan, elektronik otomotif, dan modul daya.

Substrat aluminium nitrida berpori dengan insulasi termal dan permeabilitas udara yang tinggi — substrat aluminium nitrida berpori
Gambar ini menunjukkan substrat aluminium nitrida (ALN) berpori, yang dirancang untuk aplikasi yang membutuhkan insulasi termal, aliran gas, atau permeabilitas terkontrol. Substrat ini menggabungkan ketahanan termal yang sangat baik dengan kekuatan struktural, cocok untuk aplikasi sensor, penyangga katalis, dan mikrofluida.

Substrat keramik aluminium nitrida konduktivitas termal tinggi untuk pembuangan panas yang efisien — substrat keramik aluminium nitrida dengan konduktivitas termal tinggi
Gambar ini menampilkan substrat keramik aluminium nitrida (ALN) dengan konduktivitas termal tinggi, ideal untuk aplikasi yang membutuhkan pembuangan panas cepat, seperti modul daya, kemasan LED, dan perangkat RF. Substrat ini menawarkan insulasi listrik dan stabilitas mekanis yang sangat baik.

Substrat ALN berkinerja tinggi untuk aplikasi elektronik dan termal — substrat aln
Gambar menunjukkan substrat ALN (aluminium nitrida), yang memiliki konduktivitas termal tinggi, rugi-rugi dielektrik rendah, dan keandalan yang sangat baik. Substrat ini umum digunakan dalam elektronika daya, aplikasi RF, dan modul LED.

Substrat aluminium nitrida bulat dengan konduktivitas termal tinggi untuk aplikasi LED dan perangkat daya — substrat aluminium nitrida bulat
Gambar ini menampilkan substrat aluminium nitrida (ALN) bundar, yang dikenal karena konduktivitas termal, insulasi listrik, dan stabilitas dimensinya yang sangat baik. Substrat ini ideal untuk modul LED daya tinggi, kemasan semikonduktor, dan sirkuit gelombang mikro.

Substrat aluminium nitrida persegi dan bulat untuk manajemen termal dalam elektronik — substrat-aluminium-nitrida-persegi-dan-bulat
Gambar ini menampilkan substrat aluminium nitrida (ALN) berbentuk persegi dan bulat, yang menawarkan konduktivitas termal, insulasi listrik, dan stabilitas mekanis yang tinggi. Substrat keramik ini ideal untuk aplikasi elektronika daya, pencahayaan LED, dan perangkat frekuensi tinggi.

Substrat aluminium nitrida berpori dengan konduktivitas termal tinggi untuk aplikasi fotovoltaik — substrat-aluminium-nitrida-berpori-untuk-fotovoltaik
Gambar ini menunjukkan substrat aluminium nitrida (ALN) berpori yang dirancang untuk aplikasi fotovoltaik. Dengan konduktivitas termal yang sangat baik dan porositas yang terkontrol, substrat ini mendukung pembuangan panas yang efisien dan integrasi struktural dalam modul tenaga surya.

Substrat keramik aluminium nitrida cocok untuk pembuangan panas LED — substrat keramik aluminium nitrida untuk pembuangan panas LED
Gambar ini menampilkan substrat keramik aluminium nitrida (ALN) yang dirancang untuk pembuangan panas yang efektif dalam aplikasi LED. Substrat ini memberikan konduktivitas termal dan insulasi listrik yang tinggi, sehingga meningkatkan kinerja dan masa pakai LED.

Penggoresan laser dan pemotongan laser pada substrat keramik aluminium nitrida — Pengikisan_laser_dan_pemotongan_laser_pada_substrat_keramik_aluminium_nitrida
Gambar menunjukkan substrat keramik aluminium nitrida yang diproses dengan teknik laser scribing dan laser cutting. Metode presisi ini memungkinkan pembuatan pola, pemisahan, dan kustomisasi yang halus, sehingga cocok untuk elektronik berdaya tinggi, kemasan LED, dan mikroelektronika.

Substrat aluminium nitrida konduktivitas termal tinggi setebal 1,0 mm untuk elektronika daya — Substrat aln-konduktivitas termal tinggi 1 mm
Gambar menunjukkan substrat aluminium nitrida (ALN) setebal 1,0 mm dengan konduktivitas termal tinggi, yang dirancang untuk pembuangan panas yang efisien dalam modul elektronika daya, sirkuit RF, dan aplikasi LED. Substrat ini menawarkan insulasi listrik, kekuatan mekanis, dan stabilitas termal yang sangat baik.

Substrat aluminium nitrida yang dapat disesuaikan dengan konduktivitas termal tinggi — substrat aluminium nitrida yang dapat disesuaikan
Gambar ini menampilkan substrat aluminium nitrida (ALN) yang dapat disesuaikan, menawarkan konduktivitas termal dan insulasi listrik yang sangat baik. Cocok untuk berbagai aplikasi elektronik, termasuk modul daya, lampu LED, dan perangkat RF, dengan pilihan ukuran dan bentuk yang dapat disesuaikan.

Substrat aluminium nitrida persegi panjang dengan konduktivitas termal tinggi — substrat aluminium nitrida persegi panjang
Gambar ini menunjukkan substrat aluminium nitrida (ALN) persegi panjang yang dikenal karena konduktivitas termal dan insulasi listriknya yang sangat baik. Substrat ini banyak digunakan pada perangkat elektronik yang membutuhkan pembuangan panas yang efisien, seperti modul daya dan aplikasi LED.

Properti
Aplikasi	Bidang semikonduktor elektronik, bidang peralatan komunikasi, elektronik otomotif, sensor fotolistrik, peralatan industri, kedirgantaraan
Nama Merek	SANGAT INDAH
Layanan Pemrosesan	Kustomisasi, pembuatan pola dan sirkuit, perawatan permukaan, pembuatan sampel
Ukuran	Disesuaikan
Fitur	Disipasi panas yang sangat baik, sifat termal dan listrik, kekuatan lentur tinggi, daya tahan, ketahanan aus, ketahanan oksidasi

Harga kompetitif dengan produk berkualitas baik + -

Kami memiliki pabrik sendiri dan dapat memberi Anda harga dan kualitas terbaik.

Respon cepat + -

Kami akan segera membalas pertanyaan Anda dalam 24 jam.

Kirimkan Pertanyaan kepada Kami

Butuh Bantuan? Ngobrol sekarang dengan Ada apa

Dokumen Produk

Substrat Aluminium Nitrida (AlN) thin_film_substrate

2024-07-10
619,27kB

Layanan film tipis substrat aluminium nitrida (AlN)

2024-07-10
468,18kB

Keterangan

Pemasok Substrat Aluminium Nitrida (AlN) - Solusi Terbaik yang Disesuaikan

Substrat aluminium nitrida (ALN) adalah substrat keramik dengan sifat termal dan listrik yang sangat baik, kekuatan lentur yang tinggi (450), dan konduktivitas termal yang sangat baik (170W/mK). Pada perangkat elektronik berdaya ultra tinggi, substrat ini merupakan pilihan ideal untuk pembuangan panas bagi pelanggan, memastikan stabilitas perangkat elektronik selama pengoperasian dan secara efektif mengurangi dampak tekanan termal pada komponen.

GORGEOUS merancang substrat aluminium nitrida khusus untuk komponen semikonduktor daya, menyesuaikan dan menyediakan solusi pembuangan panas terbaik.

Substrat aluminium nitrida berkualitas tinggi, khusus digunakan untuk pembuangan panas peralatan elektronik berdaya tinggi

Aluminium Nitrida (AlN) - Pelajari lebih lanjut tentang materi ini

Keunggulan Utama Substrat ALN

Apa keuntungan substrat aluminium nitrida GORGEOUS?

Substrat aluminium nitrida AlN adalah pilihan ideal untuk pembuangan panas berbagai komponen elektronik berdaya tinggi

Nilai Teknis & Parameter Substrat Aluminium Nitrida

Sifat fisik	Sifat listrik
Kepadatan: ≥ 3,34 g/cm3	Konstanta dielektrik pada 1 MHz: +/- 8,5
Nilai Ra: ≤ 0,4 µm	Faktor kehilangan dielektrik pada 1 MHz: ≤1 (10^-3)
Warna: Abu-abu/Coklat Muda	Resistivitas volume pada 20℃: ≥10¹⁴ Ω cm
Suhu maksimum: ≥1000℃ (gas inert)	Kekuatan dielektrik: ≥15 kV/mm
Sifat mekanik	Geometri - Masterplates
Kekuatan lentur DR sigma 0 (Metode 3 Titik): ≥450 MPa	Ukuran Standar: 190 mm × 140 mm (7,5″ × 5,5″), toleransi ±1,0%
*Ketangguhan patah (metode IF): ≥3.0MPa√m**	Kisaran Ketebalan: 0,38 mm hingga 1,50 mm, toleransi ± 10%
Modulus Young: ≥ 300 GPa	Kelengkungan/Kelengkungan: 0,2% hingga 0,6%
Sifat termal	Geometri - Substrat Laser
CTE: 100-800°C: ± 4,8 - 6,2 10^-6/K	Ketebalan Standar: 0,635 mm (0,025″)
Konduktivitas termal (25℃): ≥170 W/(mBahasa Indonesia:K)	Toleransi Panjang & Lebar: +0,20 mm / -0,05 mm (+0,0079″ / -0,002″)
Kapasitas panas spesifik (25°C): 0,72 J/gK

Bidang aplikasi substrat AlN

Substrat pembuangan panas keramik modul IGBT
Substrat pengemasan dioda laser (LD Submount)
Modul komunikasi frekuensi tinggi (seperti modul penguat daya 5G)
Pendingin kemasan chip LED
Substrat pengemasan perangkat semikonduktor daya (MOSFET, SiC, perangkat GaN)
Lapisan pembuangan panas komponen radar kedirgantaraan
Basis pembuangan panas modul inverter kendaraan listrik
Substrat sirkuit gelombang mikro/gelombang milimeter (MMIC)
Substrat sirkuit berkinerja tinggi dalam peralatan pencitraan medis
Substrat modul daya frekuensi tinggi dalam sistem kontrol otomasi industri
Substrat pengemasan optocoupler
Substrat modul penguat daya RF

Layanan Pemrosesan

Pengolahan metalisasi (film tipis, film tebal, DBC, AMB, DPC, dll.)
Permesinan
Target Sputtering Aluminium Nitrida
Pemolesan/penggilingan

Fitur	Target Penyemprotan	Substrat
Jenis Bahan	Aluminium Nitrida (AlN)	Aluminium Nitrida (AlN) Kemurnian Tinggi
Simbol	Bahasa Inggris AlN	Bahasa Inggris AlN
Kemurnian	99.5% atau Standar Internasional	99%, 99.99% atau Standar Internasional
Bentuk	Cakram, Pelat, Tangga (Diameter 355mm, Ketebalan 0,5mm)	Cakram, Persegi Panjang, Tangga, Pelat, Lembaran, Batang
Bentuk & Ukuran Kustom	Tersedia untuk dikutip	Tersedia untuk dikutip
Ukuran	Diameter (355mm), Ketebalan (0.5mm), Dibuat Khusus	Dibuat khusus

Catatan Tambahan:

Baik Target Sputtering maupun Substrat terbuat dari Aluminium Nitrida berkualitas tinggi.
Tingkat kemurnian dapat disesuaikan untuk memenuhi persyaratan tertentu.
Berbagai bentuk dan ukuran tersedia, termasuk opsi khusus.